| 번호 | 청구항 |
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| 5 | 제 1항에 있어서,상기 이차원 전자가스의 전자 농도는 1010 cm-2 내지 1016 cm-2인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물. |
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| 8 | 제 1항에 있어서, 상기 불활성 가스가 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤, 제논 및 질소 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물. |
| 9 | 제 1항에 있어서,상기 고진공 상태는 10-5 Torr 내지 10-11 Torr의 진공도인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물. |
| 1 | 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 전자화물 및 표면에 이차원 전자가스를 포함하고,상기 이차원 전자가스가 1 K 내지 100 K 온도의 불활성 가스 분위기 또는 고진공 분위기 하에서 존재하는 것인,이차원 전자가스 형성 전자화물.003c#화학식 1003e#X2C화학식 1에 있어서, X는 Gd, Sc, Y, Dy, Ho, Ce, Er 또는 Tb이고,003c#화학식 2003e#Y2N화학식 2에 있어서,Y는 Ca, Sr 또는 Ba이고,003c#화학식 3003e#ZCl화학식 3에 있어서,Z는 Y, La, Zr 또는 Hf이다. |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 전자화물은 단결정, 다결정 또는 박막인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 상기 전자화물이 층상구조이고, 층간에 이차원으로 배열되어 있는 격자 간 전자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물. |
| 4 | 제 1항에 있어서, 상기 이차원 전자가스는 페르미 레벨(Fermi level) 근처에서 포물선 형태의 에너지 밴드를 갖는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물. |
| 10 | (a) 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 전자화물을 준비하는 단계; 및 (b) 1 K 내지 100 K 온도의 불활성 가스 분위기 또는 고진공 분위기 하에서 상기 전자화물의 표면을 클리빙하는 단계;를 포함하는 이차원 전자가스의 형성 방법. 003c#화학식 1003e#X2C화학식 1에 있어서, X는 Gd, Sc, Y, Dy, Ho, Ce, Er 또는 Tb이고,003c#화학식 2003e#Y2N화학식 2에 있어서,Y는 Ca, Sr 또는 Ba이고,003c#화학식 3003e#ZCl화학식 3에 있어서,Z는 Y, La, Zr 또는 Hf이다. |
| 11 | 삭제 |
| 12 | 제 10항에 있어서,상기 불활성 가스가 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤, 제논 및 질소 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스의 형성 방법. |
| 13 | 제 10항에 있어서,상기 고진공 상태는 10-5 Torr 내지 10-11 Torr의 진공도인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스의 형성 방법. |
| 14 | 제 1항의 이차원 전자가스 형성 전자화물을 포함하는 전자소자. |
| 15 | 제 1항의 이차원 전자가스 형성 전자화물을 포함하는 자성소자. |
| 16 | 제 1항의 이차원 전자가스 형성 전자화물을 포함하는 광학소자. |
