MX2와 RX를 함유하는 페로브스카이트 제조용 전구체를 제 1 용매 중에서 반응시켜 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 결정을 형성하는 단계;상기 형성된 유무기 복합 페로브스카이트 결정을 제 2 용매에 분산하여 상기 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 페이스트를 형성하는 단계;상기 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 페이스트를 기재에 도포하여 100 μm 이상의 두께를 가지는 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 후막을 형성하는 단계를 포함하는, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법:[화학식 1]RMX3[화학식 2]R2MX4상기 MX2, RX, 화학식 1 및 화학식 2 각각에서 독립적으로, M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임.

제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1 및 화학식 2 각각에서 독립적으로, R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 +1가의 유기 암모늄 이온으로서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수가 1 내지 24인 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수가 3 내지 20인 시클로알킬기, 탄소수가 6 내지 20인 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1 항에 있어서, 상기 유무기 복합 페로브스카이트 결정을 제 2 용매에 분산하는 것은 볼밀(ball mill), 쓰리롤밀(three roll mill) 또는 초음파 처리를 이용하여 수행되는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 용매는 무극성 용매, 극성 비양성자성 용매, 알코올 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 용매를 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 5 항에 있어서,상기 극성 비양성자성 용매는 DMF, DMA, NMP, DMSO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 용매를 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1항에 있어서,상기 제 2용매는 점성 유기 용매를 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1항에 있어서,상기 점성 유기 용매는 3-메톡시프로판나이트릴,테르피네올, 부틸 카비톨, 3-메톡시프로판나이트릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 페이스트를 기재에 도포하는 것은 닥터블레이드 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 슬롯 다이 코팅에 의하여 수행되는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 형성된 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 후막을 히팅 프레스(heating press), 용매 어닐링(solvent annealing), 또는 급속 열처리(rapid thermal annealing, RTA)하는 단계를 추가 포함하는, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름 제조 방법.

하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트의 결정을 함유하고, 100 μm 이상의 두께를 가지는, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름: [화학식 1]RMX3[화학식 2]R2MX4상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임.

제 11 항에 있어서, 상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1가의 유기 암모늄 이온으로서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수가 1 내지 24인 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수가 3 내지 20인 시클로알킬기, 탄소수가 6 내지 20인 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름.

제 11 항에 있어서,상기 화학식 1 및 화학식 2 각각에서 독립적으로, X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름.

제 11 항에 있어서,제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되는 것인, 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름.

하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트의 결정을 함유하고, 100 μm 이상의 두께를 가지는 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 필름을 이용하는 X-선 이미징 시스템: [화학식 1]RMX3[화학식 2]R2MX4상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서, M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임.

제 15항에 있어서,상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1가의 유기 암모늄 이온으로서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수가 1 내지 24인 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수가 3 내지 20인 시클로알킬기, 탄소수가 6 내지 20인 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, X-선 이미징 시스템.

제 15 항에 있어서,상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, X-선 이미징 시스템.