기판과; 상기 기판 위에 형성된 n형 반도체층과;상기 n형 반도체층 위에 형성되어 빛을 발생시키는 활성층과;상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층과; 상기 p형 반도체층 위에 형성된 투명 전극층; 그리고, 상기 p형 반도체층에 산화그래핀에 의한 이중극장(dipole field)을 형성시켜 활성층으로 이동되는 정공 농도를 증가시키도록 음전하를 가지는 산화그래핀을 이용하여 상기 투명전극층의 상면 또는 하면에 도포 형성되는 이중극장 형성층;을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자.

제1항에 있어서, 상기 산화 그래핀은, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리하여 분말상태의 산화 그래파이트 플레이크를 합성시키는 제 1단계와; 상기 제 1단계의 산화그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산 및 박리 시킴으로서 산화그래핀을 형성시키는 제 2단계와; 상기 2단계의 산화그래핀의 크기를 조절하기 위해 원심분리시키는 제3단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자.

제2항에 있어서, 상기 제3단계를 통하여 형성된 산화그래핀의 크기는 10nm~10um 임을 특징으로 하는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자.

제1항에 있어서, 상기 도포는 스프레이(spray), 디핑(dipping), 스핀코팅(spin coating), 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 패드 프린팅, 나이프 코팅, 키스 코팅, 그라비아 코팅 중에서 선택된 하나의 방법이 이용됨을 특징으로 하는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자.

제1항에 있어서, 상기 투명 전극층은, ITO, FTO, CNT, 그래핀, 은나노와이어, 은나노입자 중 하나가 됨을 특징으로 하는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자.