| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 하부 전극;상기 하부 전극 상에 위치하며 강유전체를 포함하는 강유전층;상기 강유전층 상에 위치하며 상기 강유전체보다 에너지 밴드갭(Eg)이 큰 제1유전체를 포함하는 제1유전층;상기 제1유전층 상에 위치하며 상기 강유전체보다 에너지 밴드갭(Eg)이 작은 제2유전체를 포함하는 제2유전층; 및 상기 제2유전층 상에 위치하는 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 전극의 일함수는 상기 상부 전극의 일함수보다 큰 것이고,상기 하부 전극은 Pt, Ir, Mo2N, MoOx, RuOx 및 IrOx로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 상부 전극은 Sc, TaN, Ta, W, Ti, Mo 및 TiN로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 하부 전극에서 상기 상부 전극 방향으로 흐르는 전류가 억제되는 자가 정류 특성을 가지며,하기 수학식 1을 만족하는 강유전체 터널 접합(FTJ) 소자:[수학식 1]상기 수학식 1에서, χFE는 상기 강유전체의 전자친화도이고, χ2는 상기 제2유전체의 전자친화도이고, φBE는 상기 하부 전극의 일함수이고, φTE는 상기 상부 전극의 일함수이다. |
| 2 | 청구항 1에 있어서,상기 강유전체는 하기 화학식 1로 표시되는 것인 강유전체 터널 접합 소자:[화학식 1]Hf1-xMxO2 상기 화학식 1에서, M은 Zr, Si, Al, Y, Sr, La 및 Gd 중 어느 하나 이상이고, x는 0.01 이상 0.99 이하이다. |
| 3 | 청구항 1에 있어서,상기 강유전체는 하기 화학식 2로 표시되는 것인 강유전체 터널 접합 소자:[화학식 2]Hf1-xZrxO2 상기 화학식 2에서, x는 0.4 이상 0.6 이하이다. |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 청구항 1에 있어서,상기 제1유전체는 Al2O3 및 SiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 강유전체 터널 접합 소자. |
| 7 | 청구항 1에 있어서,상기 제2유전체는 TiO2, MoO3, WO3 및 Ta2O5로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 강유전체 터널 접합 소자. |
| 8 | 청구항 1에 있어서,상기 강유전층의 두께는 0.5 내지 10 nm인 것인 강유전체 터널 접합 소자. |
| 9 | 청구항 1에 있어서, 상기 제1유전층의 두께는 0.1 내지 5 nm인 것인 것인 강유전체 터널 접합 소자. |
| 10 | 청구항 1에 있어서,상기 제2유전층의 두께는 5 내지 30 nm인 것인 강유전체 터널 접합 소자. |
| 11 | 삭제 |
| 12 | 청구항 1에 따른 강유전체 터널 접합 소자를 포함하는 메모리 장치. |
| 13 | 청구항 12에 있어서,상기 메모리 장치는 상기 강유전체 터널 접합 소자를 복수개 포함하는 크로스바 어레이 구조인 것인 메모리 장치. |
