제1항 내지 제13항, 제15항 및 제16항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 삼차원 나노큐브 자가조립체.

자가조립체 형성 기판-단위체 간의 응집력을 조절하여 형성되는 나노큐브 자가조립체의 차원 및 구조를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는, 이차원 또는 삼차원 나노큐브 자가조립체의 제조방법으로서,(a) 계면활성제 및 응집제를 포함하는 제1용액 및 금속 나노큐브 단위체를 포함하는 제2용액을 자가조립체 형성 기판 위에 도포하는 단계; 및(b) 상기 금속 나노큐브가 응집하여 이차원 또는 삼차원의 나노큐브 자가조립체가 형성되도록 숙성하는 자가조립체 형성 단계;를 포함하는 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 자가조립체 형성 기판으로 표면 거칠기(Ra)가 0.12 nm 미만인 물질을 사용하는 경우, 단층의 이차원 나노큐브 자가조립체가 형성되는, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 자가조립체 형성 기판으로 표면 거칠기(Ra)가 0.12 nm 이상 1.2 nm 미만인 기판을 사용하는 경우, 초결정의 삼차원 나노큐브 자가조립체가 형성되는, 제조방법.

제2항에 있어서, 표면거칠기(Ra)가 0.12 nm 미만인 물질은 실리콘 웨이퍼, 금속이 증착된 표면 및 마이카(mica)로 구성된 군으로부터 선택된 하나인, 제조방법.

제3항에 있어서, 표면 거칠기가 0.12 nm 이상 1.2 nm 미만인 기판은 유리 및 석영(quartz) 슬라이드로 구성된 군으로부터 선택된 하나인, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 응집제는 제1용액 및 제2용액을 합친 자가조립체 형성 용액을 기준으로 ((412/A2) x 55) x 0.7 mM 내지 ((412/A2) x 55) x 1.3 mM의 농도로 포함되며, 이 때, 상기 A는 EL-2CR (nm) 값을 의미하며, 상기 EL은, 금속 나노큐브의 편평한 일면 상의 한 점으로부터 이에 평행한 타면까지의 최단거리로 정의되는, 모서리 길이(edge length)를, 상기 CR은, 모서리 곡률(corner curvature)과 완벽히 일치하는 원의 반경으로 정의되는, 모서리 반경(corner radius)을 나타내는, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 납(Pb), 또는 이들의 조합인 것인, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 제1용액 및 제2용액은 동시에 자가조립체 형성 기판 위에 도포되거나, 제1용액이 자가조립체 형성 기판 위에 먼저 도포된 뒤 시간을 두고 제2용액이 도포되는 것인, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 숙성은 20-100%의 고습도에서 수행되는 것인, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 숙성 시간은 2시간 이상 12시간 미만인 것인, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에 금속 나노입자를 포함하는 용액에 환원제 및 금속 이온을 함유하는 전구체 용액을 혼합하여 금속 나노큐브를 성장시키는, 금속 나노큐브 단위체 합성단계를 더 포함하는, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는, 자가조립체 형성 기판 위에 계면활성제 및 응집제를 포함하는 제1용액 및 금속 나노큐브를 포함하는 제2용액을 동시에, 순차적으로 또는 이시에 도포하는 것인, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 제조방법으로 제조되는 이차원 또는 삼차원 나노큐브 자가조립체는 평균 1-5nm의 나노갭을 가지는, 제조방법.

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제1항에 있어서, 상기 제조방법으로 제조되는 이차원 또는 삼차원 나노큐브 자가조립체는 균일하고 규칙적인 나노갭을 가지는 것을 특징으로 하는, 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 제조방법으로 제조되는 이차원 또는 삼차원 나노큐브 자가조립체의 크기는 0.1-50 μm인, 제조방법.

제1항 내지 제13항, 제15항 및 16항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 이차원 나노큐브 자가조립체.