제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들은상기 원주홀의 외면과 접촉된 디스크 형상을 구성하고, 절연체를 통해 이격되는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀.

제1항 또는 제2항에 있어서,상기 게이트 전극층의 내면에 채워지는 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀.

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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온 저장층은Mo 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀.

원주홀;상기 원주홀의 외면을 따라 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들;상기 원주홀의 내면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들 각각의 일단과 연결된 전해질층; 및상기 원주홀의 내면 방향으로 상기 전해질층과 평행하게 배치되는 게이트 전극을 포함하되,상기 제1 도전성 전극층들은 상기 원주홀과 인접한 비아 콘택을 통해 전기적으로 연결되고,상기 전해질층은 상기 원주홀의 내면에 접촉된 원주면 채널층의 내부에 원주면으로 형성되며,상기 전해질층의 내면과 접촉되고 원주면으로 형성되는 이온 저장층(ion reservoir layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀.

원주홀;상기 원주홀의 외면을 따라 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들;상기 원주홀의 내면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들 각각의 일단과 연결된 채널층; 및상기 원주홀의 내면 방향으로 상기 채널층과 평행하게 배치되는 게이트 전극층을 포함하되,상기 제1 도전성 전극층들은 상기 원주홀과 인접한 비아 콘택을 통해 전기적으로 연결되고,상기 채널층은 상기 원주홀의 내면 및 원주면으로 형성된 전해질층의 외면 사이에 형성되며,상기 전해질층의 내면과 접촉되고 원주면으로 형성되는 이온 저장층(ion reservoir layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀.

내부를 향하여 원주면을 순차적으로 형성하는 채널층, 전해질층 및 게이트 전극층; 및상기 원주면의 외부에 디스크 형상으로 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들을 포함하되,상기 제1 도전성 전극층들은 원주홀과 인접한 비아 콘택을 통해 전기적으로 연결되고,상기 전해질층의 내면과 접촉되고 원주면으로 형성되는 이온 저장층(ion reservoir layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원주형 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 메모리 셀.

내부를 향하여 원주면을 순차적으로 형성하는 채널층, 전해질층 및 게이트 전극층; 및상기 원주면의 외부에 디스크 형상으로 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들;상기 제1 도전성 전극층과 연결된 드레인라인;상기 제2 도전성 전극층과 연결된 소스라인; 및상기 게이트 전극층과 연결된 게이트라인을 포함하되,상기 제1 도전성 전극층들은 원주홀과 인접한 비아 콘택을 통해 전기적으로 연결되고,상기 전해질층의 내면과 접촉되고 원주면으로 형성되는 이온 저장층(ion reservoir layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 메모리 셀 어레이.