| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비되며 인가되는 전압에 의하여 저항이 가변되는 저항변화층을 포함하는 저항 변화 메모리 소자로서, 상기 저항변화층은 (A')2An-1BnX3n+1 화학식의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자.(상기 식에서 A'는 비대칭적인 구조를 가지며 페닐기를 포함하는 암모늄이온, A는 세슘(Cs), X는 할로겐 이온이고, B는 납(Pb)이며,상기 A'는 인가되는 전기장에 의하여 회전할 수 있는 비대칭적 이온 분포를 가지며, n은 4임) |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 식에서 A'는 페닐에틸암모늄(PEA)인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 상기 저항변화층은 PEA2Cs3Pb4I13인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자. |
| 4 | 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 저항 변화 메모리 소자의 제조방법으로, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 저항변화층은 층상 구조를 가지며, 상기 저항변화층은 (A')2An-1BnX3n+1 화학식의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.(상기 식에서 A'는 비대칭적인 구조를 가지며 페닐기를 포함하는 암모늄이온, A는 세슘(Cs), X는 할로겐 이온이고, B는 납(Pb)이며,상기 A'는 인가되는 전기장에 의하여 회전할 수 있는 비대칭적 이온 분포를 가지며, n은 4임) |
| 5 | 제4항에 있어서, 상기 식에서 A'는 페닐에틸암모늄(PEA)인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법. |
| 6 | 제 4항에 있어서, 상기 저항변화층은 PEA2Cs3Pb4I13인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법. |
