| 번호 | 청구항 |
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| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 PET인 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 상기 그래핀은 화학기상증착법의하여 플렉서블 기판 상에 증착된 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자. |
| 1 | 플렉서블 기판과, 상기 플렉서블 기판 상에 적층된 그래핀층을 포함하는 하부전극;상기 그래핀층 상에 적층되며, 페로브스카이트 물질을 포함하는 저항변화층; 및 상기 저항변화층 상에 적층된 상부전극을 포함하며, 상기 하부전극은 플렉서블 특싱을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자. |
| 4 | 제 1항에 있어서, 상기 저항변화층은 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자. |
| 5 | 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법으로, 플레서블 기판 상에 그래핀을 증착하여 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 페로브스카이트 물질을 포함하는 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법. |
| 6 | 제 5항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 PET인 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법. |
| 7 | 제 5항에 있어서, 상기 그래핀은 화학기상증착법의하여 플렉서블 기판 상에 증착된 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법. |
| 8 | 제 5항에 있어서, 상기 저항변화층은 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법. |
