제1항의 효소 활성 조절용 바이오 스위치 칩을 이용한 효소-기질 반응 조절 방법.

(i) 전도성 기판; 및(ii) 전도성 고분자 매트릭스와 상기 매트릭스 내부에 위치하는 효소를 포함하며,상기 전도성 고분자에 전압을 인가하여 전도성 고분자의 내부 부피를 변화시켜 효소와 기질의 반응성을 조절하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 복합체를 포함하는 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩으로서,상기 전도성 고분자는 타이오닌(thionine), 아닐린(aniline), 피롤(pyrrole) 및 티오펜(thiophene)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 중합된 것이고, 상기 효소는 글루코즈 옥시다제(Glucose oxidase), 트립신(Trypsin), 또는 알돌라아제(Aldolase)이며, 상기 효소-기질 반응 조절은 전도성 고분자에 -2 내지 -0.5V의 음전하 전압 인가에 의해 전도성 고분자의 내부 부피를 변화시키는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

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제1항에 있어서, 상기 효소-기질 반응 조절용 복합체는 도핑물질을 추가로 포함하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

제4항에 있어서, 상기 도핑물질은 소듐 도데실벤젠 설폰산염(sodium dodecyl benzene sulfonate), 과염소산나트륨(Sodium perchlorate; NaClO4), 또는 테트라플루오로붕산나트륨(Sodium tetrafluoroborate; NaBF4)인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 산화물 및 귀금속을 포함하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

제7항에 있어서, 상기 귀금속은 금, 은, 백금, 티타늄, 니켈 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

제1항에 있어서, 상기 기판은 30 nm 이상의 두께인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 산화물 위에 제1 귀금속 층 적층되어 있으며, 상기 제1 귀금속 층 위에 제2 귀금속 층이 적층되어 있고, 제1 귀금속 층과 제2 귀금속 층은 서로 다른 귀금속으로 이루어진 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

제10항에 있어서, 상기 제1 귀금속 층의 귀금속은 티타늄이고, 상기 제2 귀금속 층의 귀금속은 금인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

제1항에 있어서, 상기 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩은 -2.0 내지 -0.5V의 전압에서 동작하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩.

실리콘 산화물 위에 귀금속(noble metal)을 증착시켜 기판을 형성하는 단계;상기 기판 위에 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 패터닝 단계; 및전도성 고분자, 도핑물질 및 효소를 포함하는 코팅용액을 이용하여 기판 위에 전도성 고분자-효소층을 형성하는 코팅 단계;를 포함하는 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법으로서,상기 효소-기질 반응 조절은 전도성 고분자에 -2 내지 -0.5V의 음전하 전압 인가에 의해 전도성 고분자의 내부 부피를 변화시키는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 것 인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 증착은 열증착 방식으로 수행하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제14항에 있어서, 상기 코팅 단계는, 상기 기판과 Ag/AgCl 기준전극 사이의 전압차를 0.6 내지 1.0V로 가하여 수행하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 코팅 단계 이후에 세척하는 단계를 1회 이상 추가로 수행하는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 코팅용액은 전도성 고분자 0.1M, 도핑물질 0.1M 및 효소 0.114mg/ml의 농도로 포함하고 있는 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 귀금속은 금, 은, 백금, 티타늄, 니켈 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 타이오닌(thionine), 아닐린(aniline), 피롤(pyrrole) 및 티오펜(thiophene)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 중합된 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 도핑물질은 소듐 도데실벤젠 설폰산염(sodium dodecyl benzene sulfonate), 과염소산나트륨(Sodium perchlorate; NaClO4), 또는 테트라플루오로붕산나트륨(Sodium tetrafluoroborate; NaBF4)인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 효소는 글루코즈 옥시다제(Glucose oxidase), 트립신(Trypsin), 또는 알돌라아제(Aldolase)인 것인, 효소-기질 반응 조절용 바이오 스위치 칩 제조방법.

제22항에 있어서, 상기 효소-기질 반응 조절 방법은 바이오 스위치 칩에 -2.0 내지 -0.5V의 전압을 가하여 수행하는 것인, 효소-기질 반응 조절 방법.

제23항에 있어서, 상기 전압은 50 내지 5000초 동한 가하는 것인, 효소-기질 반응 조절 방법.