그래핀 전사 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자 소자
METHOD FOR TRANSFERRING GRAPHENE AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME
특허 요약
그래핀 전사 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자 소자가 제공된다. 상기 그래핀 전사 방법은, 금속층 위에 그래핀층을 형성하는 단계, 상기 그래핀층 위에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 위에 스탬프층을 형성하는 단계, 상기 금속층을 제거하는 단계, 상기 그래핀층을 기판 위에 배치하는 단계, 상기 기판에 대하여 제1 열처리 공정을 수행하는 단계, 및 상기 기판에 대하여 제2 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 전자 소자는 기판 및 상기 기판 위에 배치되는 제1 그래핀 패턴과 제2 그래핀 패턴을 포함하고, 상기 제1 그래핀 패턴과 상기 제2 그래핀 패턴은 상기 그래핀 전사 방법에 의해 상기 기판으로 전사된 것이다.
청구항
번호청구항
1

금속층 위에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 위에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 위에 스탬프층을 형성하는 단계;상기 금속층을 제거하는 단계;상기 그래핀층을 기판 위에 배치하는 단계;상기 기판에 대하여 제1 열처리 공정을 수행하는 단계; 및상기 기판에 대하여 제2 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하고,상기 제1 열처리 공정은 가열 공정이고, 상기 제2 열처리 공정은 냉각 공정이며,상기 제2 열처리 공정에 의해 상기 스탬프층은 상기 희생층과 분리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

2

삭제

3

제 1 항에 있어서,상기 제1 열처리 공정의 온도는 60 ~ 140℃이고,상기 제2 열처리 공정의 온도는 -40 ~ 10℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

4

제 1 항에 있어서,상기 금속층은 구리 또는 니켈로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

5

제 1 항에 있어서,상기 희생층은 고무질 고분자로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

6

제 5 항에 있어서,상기 고무질 고분자는 폴리이소부틸렌을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

7

제 1 항에 있어서,상기 스탬프층은 10℃ 이하의 온도에서 상기 희생층과 분리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

8

제 1 항에 있어서,상기 스탬프층은 폴리디메틸실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

9

제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 상기 금속층 위에 차례로 형성된 복수개의 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

10

제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 그래핀 패턴인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

11

제 1 항에 있어서,상기 스탬프층과 상기 기판은 서로 정렬되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

12

제1 금속층 위에 제1 그래핀층을 형성하는 단계;상기 제1 그래핀층 위에 제1 희생층을 형성하는 단계;상기 제1 희생층 위에 제1 스탬프층을 형성하는 단계;상기 제1 금속층을 제거하는 단계;상기 제1 그래핀층을 기판 위에 배치하는 단계;상기 기판에 대하여 제1 열처리 공정을 수행하는 단계;상기 기판에 대하여 제2 열처리 공정을 수행하는 단계;상기 제1 희생층과 상기 제1 스탬프층을 제거하는 단계;제2 금속층 위에 제2 그래핀층을 형성하는 단계;상기 제2 그래핀층 위에 제2 희생층을 형성하는 단계;상기 제2 희생층 위에 제2 스탬프층을 형성하는 단계;상기 제1 그래핀층이 배치된 상기 기판 위에 상기 제2 그래핀층을 배치하는 단계;상기 기판에 대하여 제3 열처리 공정을 수행하는 단계; 및상기 기판에 대하여 제4 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하고,상기 제1 열처리 공정 및 상기 제3 열처리 공정은 가열 공정이고, 상기 제2 열처리 공정 및 상기 제4 열처리 공정은 냉각 공정이며,상기 제2 열처리 공정에 의해 상기 제1 스탬프층은 상기 제1 희생층과 분리되고,상기 제4 열처리 공정에 의해 상기 제2 스탬프층은 상기 제2 희생층과 분리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

13

삭제

14

제 12 항에 있어서,상기 제1 열처리 공정 및 상기 제3 열처리 공정의 온도는 60 ~ 140℃이고,상기 제2 열처리 공정 및 상기 제4 열처리 공정의 온도는 -40 ~ 10℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

15

제 12 항에 있어서,상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층은 고무질 고분자로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

16

제 15 항에 있어서,상기 고무질 고분자는 폴리이소부틸렌을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

17

제 12 항에 있어서,상기 제1 스탬프층 및 상기 제2 스탬프층은 각각 10℃ 이하의 온도에서 상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층과 분리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

18

제 12 항에 있어서,상기 제1 스탬프층 및 상기 제2 스탬프층은 폴리디메틸실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

19

제 12 항에 있어서,상기 제1 그래핀층 및 상기 제2 그래핀층은 그래핀 패턴인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.

20

기판; 및상기 기판 위에 배치되는 제1 그래핀 패턴과 제2 그래핀 패턴을 포함하고,상기 제1 그래핀 패턴과 상기 제2 그래핀 패턴은 제1항, 제3항 내지 제12항, 및 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항의 그래핀 전사 방법에 의해 상기 기판으로 전사된 것을 특징으로 하는 전자 장치.

21

제 20 항에 있어서,상기 제1 그래핀 패턴과 상기 제2 그래핀 패턴은 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.