제9항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

탄성 기재;상기 탄성 기재에 인접하여 형성된 제1 패턴화된 고분자 층;상기 제1 패턴화된 고분자 층에 인접하여 형성된 전자 소자;상기 전자 소자에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 고분자 층을 포함하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 전자 소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극인 것이고,상기 전자 소자는 메모리 소자이고,상기 전자 소자는 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자층에 의해 캡슐레이션된 것을 특징으로 하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층, 상기 제2 패턴화된 고분자 층 및 상기 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극이 구불구불한 형태(serpentine)로 패턴화된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제1항에 있어서, 상기 탄성 기재는 폴리디메틸실록산 또는 폴리(글리세롤 세바케이트)인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제1항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 또는 상기 제2 패턴화된 고분자 층이 폴리이미드, 벤조사이클로부텐 및 SU-8으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

삭제

제1항에 있어서, 상기 전자 소자는 능동 메모리 소자 또는 수동 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제5항에 있어서, 상기 능동 메모리 소자는 디램, 플래시 메모리 및 스핀-토크-전달 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제5항에 있어서, 상기 수동 메모리 소자는 저항 램, 상변화 램 및 강유전체 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제1항에 있어서, 상기 전자 소자는 비휘발성 저항 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제8항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 메모리 소자는,제1 패턴화된 전극;상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층;상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층;상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 전극을 포함하는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극 및 상기 제2 패턴화된 전극이 구불구불(serpentine)하게 패턴화된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 크기는 2 nm 내지 100 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층이, 나노입자들의 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 3층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

제9항에 있어서, 상기 제2 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자.

(i) 폴리(메틸 메타크릴레이트)와 제1 고분자를 실리콘 기판에 차례로 코팅하고 경화하여 폴리(메틸 메타크릴레이트) 층 및 제1 고분자 층을 형성하는 단계;(ii) 상기 제1 고분자 층을 패턴화하여 제1 패턴화된 고분자 층을 형성하는 단계;(iii) 상기 제1 패턴화된 고분자 층에 인접하여 전자 소자를 제작하는 단계;(iv) 상기 전자 소자에 인접하여 제2 패턴화된 고분자 층을 형성하는 단계;(v) 상기 실리콘 기판 및 상기 폴리(메틸 메타크릴레이트)를 제거하여 상기 제1 패턴화된 고분자 층과 상기 제2 패턴화된 고분자 층으로 캡슐레이션된 소자를 얻는 단계; 및(vi) 상기 캡슐레이션된 소자를 탄성 기재에 부착하는 단계를 포함하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 전자 소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극인 것이고,상기 전자 소자는 메모리 소자이고,상기 전자 소자는 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자층에 의해 캡슐레이션된 것을 특징으로 하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층, 상기 제2 패턴화된 고분자 층 및 상기 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극이 구불구불한 형태(serpentine)로 패턴화된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제22항에 있어서, 상기 탄성 기재는 폴리디메틸실록산 또는 폴리(글리세롤 세바케이트)인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제22항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 또는 상기 제2 패턴화된 고분자 층이 폴리이미드, 벤조사이클로부텐 및 SU-8으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

삭제

제22항에 있어서, 상기 전자 소자는 능동 메모리 소자 또는 수동 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제26항에 있어서, 상기 능동 메모리 소자는 디램, 플래시 메모리 및 스핀-토크-전달 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제26항에 있어서, 상기 수동 메모리 소자는 저항 램, 상변화 램 및 강유전체 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제22항에 있어서, 상기 전자 소자는 비휘발성 저항 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제29항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 메모리 소자는,제1 패턴화된 전극;상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층;상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층;상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 전극을 포함하는 것임을 특징으로 하는, 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 크기는 2 nm 내지 100 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층이, 나노입자들의 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 제2 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제30항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 메모리 소자는,(a) 상기 제1 패턴화된 고분자 층 상에 제1 패턴화된 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극에 인접하여 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층을 형성하는 단계;(c) 상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 금속 나노입자 층을 형성하는 단계;(d) 상기 금속 나노입자 층에 인접하여 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 제2 패턴화된 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 (a)단계가 열증착, 전자빔증착 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 (b)단계가 마그네트론 스퍼터링 또는 원자층증착에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 (c)단계가 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 금속 나노입자가 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 3층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 (d)단계가 마그네트론 스퍼터링 또는 원자층증착에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 (e)단계가 열증착, 전자빔증착 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.

제41항에 있어서, 상기 제2 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법.