제 1 전극; 상기 제 1 전극 상의 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 비정질 산화물 박막;을 포함하고, 상기 비정질 산화물 박막의 내부에 금속 입자들이 분산되어 분포하며, 상기 비정질 산화물 박막에 전기장이 인가될 때 상기 금속 입자들이 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 전기적으로 연결하는 전도성 필라멘트(conducting filament)의 적어도 일부를 형성할 수 있고,상기 금속 입자들은 상기 비정질 산화물 박막에 전기장이 인가될 때 상기 전기장에 의하여 이동할 수 있는 금속 이온들을 포함하는, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막의 내부에 상기 금속 입자들의 농도는 상기 제 1 전극에서 상기 제 2 전극으로 나아가는 방향을 따라 균일한, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막의 내부에 상기 금속 입자들의 농도는 상기 제 1 전극에서 상기 제 2 전극으로 나아가는 방향을 따라 균일하지 않고 가변적인, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막의 내부에 상기 금속 입자들의 농도는 상기 제 1 전극에서 상기 제 2 전극으로 나아가는 방향을 따라 증가하는 경향을 가지는, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막의 내부에 상기 금속 입자들의 농도는 상기 제 1 전극에서 상기 제 2 전극으로 나아가는 방향을 따라 감소하는 경향을 가지는, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막의 내부에 상기 금속 입자들의 농도는 상기 제 1 전극에서 상기 제 2 전극으로 나아가는 방향을 따라 감소하다가 증가하는 경향을 가지는, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막은 비정질 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 박막을 포함하고, 상기 금속 입자는 구리 입자를 포함하는, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 전기적으로 그라운드 전원에 연결되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극 보다 산화가 상대적으로 더 용이한, 저항변화 소자.

제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 전기적으로 그라운드 전원에 연결되고, 상기 제 2 전극은 상기 비정질 산화물 박막과 반응하여 산소 공공(oxygen vacancy)을 형성할 수 있는 금속을 함유하여 형성된, 저항변화 소자.

제 9 항에 있어서,상기 비정질 산화물 박막에 전기장이 인가될 때 상기 금속 입자들이 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 전기적으로 연결하는 전도성 필라멘트(conducting filament)의 일부를 형성하고 상기 산소 공공이 상기 전도성 필라멘트의 나머지 부분을 형성할 수 있는, 저항변화 소자.

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제 1 전극을 형성하는 단계;비정질 산화물 박막의 타겟과 금속의 타겟을 동시에 스퍼터링하여, 상기 금속이 내부에 분산되어 금속입자들이 분포된 상기 비정질 산화물 박막을 상기 제 1 전극 상에 형성하는 단계; 및상기 비정질 산화물 박막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 금속 입자들은 상기 비정질 산화물 박막에 전기장이 인가될 때 상기 전기장에 의하여 이동할 수 있는 금속 이온들을 포함하는, 저항변화 소자의 제조방법.

제 12 항에 있어서, 상기 비정질 산화물 박막의 타겟과 금속의 타겟을 동시에 스퍼터링하여, 상기 금속이 내부에 분산되어 상기 금속입자들이 분포된 상기 비정질 산화물 박막을 상기 제 1 전극 상에 형성하는 단계;는상기 스퍼터링의 파워를 조절함으로써 상기 비정질 산화물 박막의 내부에 상기 금속의 농도를 조절하는 단계;를 포함하는, 저항변화 소자의 제조방법.