| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 강유전체막;상기 강유전체막과 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나의 전극 사이에 배치되는 이중층을 포함하며, 상기 이중층은 상기 강유전체막과 접하여 전자 트랩층을 제공하는 알루미늄 산화막 및 상기 어느 하나의 전극과 접하는 티타늄 산화막을 포함하는 가변 저항체. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 강유전체막은 페로브스카이트계 무기 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 3 | 제 2 항에 있어서,상기 페로브스카이트계 무기 산화물은 PbZrxTi1-xO3,을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막은 화학양론적 Al2O3막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막은 산소 결핍의 TiOx막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 강유전체막과 쇼트키 장벽을 형성하는 금속 재료로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 7 | 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극의 상기 금속 재료는 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 이들 금속의 도전성 질화물, 이들 금속의 도전성 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 8 | 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 티타늄 산화막과 오믹 콘택을 형성하는 금속 재료로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 9 | 제 8 항에 있어서,상기 제 2 전극의 상기 금속 재료는 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 이들 금속의 도전성 질화물, 이들 금속의 도전성 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 10 | 제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께는 상기 알루미늄 산화막의 두께보다 더 큰 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 11 | 제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께는 5 nm 내지 25 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 12 | 제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께는 18 nm 내지 22 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 13 | 제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막의 두께는 2 nm 내지 5 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 14 | 제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막의 두께는 2 nm 내지 3 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 15 | 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고 상기 제 1 전극과 쇼트키 장벽을 형성하는 강유전체막;상기 강유전체막과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 강유전체막과 접하여 전자 트랩층을 제공하며, 상기 제 2 전극과 오믹 콘택을 형성하는 하나 이상의 금속 산화막을 포함하는 가변 저항체. |
| 16 | 제 15 항에 있어서,상기 강유전체막은 PbZrxTi1-xO3,을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 17 | 제 15 항에 있어서,상기 금속 산화막은 알루미늄이 도핑된 티타늄 산화막인 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 18 | 제 17 항에 있어서,상기 티타늄 산화막은 산소 결핍의 TiOx막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 19 | 제 17 항에 있어서,상기 알루미늄은 상기 강유전체막과 상기 티타늄 산화막 사이에 형성된 알루미늄 산화막으로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 20 | 제 15 항에 있어서,상기 금속 산화막의 두께는 18 nm 내지 22 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체. |
| 21 | 기판 상에 배치되는 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자로서, 상기 복수의 메모리 셀들의 각각은,제 1 배선층; 적어도 하나 이상의 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자에 연결되는 제 1 항 기재의 상기 가변 저항체를 포함하며, 일 단이 상기 제 1 배선에 전기적으로 연결되는 메모리 셀; 및 상기 제 1 배선과 교차하는 방향으로 배열되고, 상기 메모리 셀의 타단과 전기적으로 연결되는 제 2 배선층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자. |
| 22 | 제 1 항 기재의 상기 가변 저항체를 퓨즈 또는 안티 퓨즈로서 사용하는 퓨즈 구조체. |
| 23 | 제 1 항 기재의 상기 가변 저항체를 온/오프 스위칭 소자로서 사용하는 논리 소자. |
