| 번호 | 청구항 |
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| 7 | 하부 구조체를 준비하는 단계;상기 하부 구조체 상에 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층(barrier)을 형성하는 단계; 및상기 MPTMS를 포함하는 장벽층 상에 도전층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 도전층을 형성하는 단계는, MOCVD 방식으로 구리를 증착하는 단계를 포함하고,상기 MOCVD 방식으로 구리를 증착하는 단계는,상기 하부 구조체 상에 구리 전구체를 주입하는 단계;상기 구리 전구체 중 반응하지 않고 잔류하는 부분을 퍼지하는 단계;상기 하부 구조체 상에 요오드를 주입하는 단계; 및상기 요오드 중 반응하지 않고 잔류하는 부분을 퍼지하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. |
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| 10 | 제7항에 있어서,상기 구리 전구체는 (hfac)Cu(DMB)를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. |
| 11 | 제7항에 있어서,상기 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층을 형성하는 단계는, 상기 하부 구조체를 MPTMS 용액에 침지하는 단계, 상기 하부 구조체 상에 MPTMS 용액을 스핀 코팅하는 단계 또는 상기 하부 구조체 상에 MPTMS를 기상증착하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. |
| 12 | 제7항에 있어서,상기 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층을 형성하는 단계는, 상기 하부 구조체 상에 자기조립(self assemble)되는 단분자막의 상기 MPTMS(mercaptopropyl trimethoxysilane)를 포함하는 장벽층을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. |
| 13 | 제7항에 있어서,상기 하부 구조체를 준비하는 단계는 상기 하부 구조체를 피라나(Piranha) 용액으로 전처리하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. |
| 14 | 제7항에 있어서,상기 하부 구조체를 준비하는 단계는 상기 하부 구조체의 표면을 UV 처리 또는 산소 플라즈마 처리를 수행하여 상기 하부 구조체의 표면을 친수화하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법. |
