기판 상에 루테늄 사산화물(ruthenium tertoxide, RuO4)을 공급하는 단계; 및상기 루테늄 사산화물이 공급된 기판 상에 상기 루테늄 사산화물을 환원시키는 환원가스를 임계시간(tcr) 이하의 시간 동안 공급하여, 상기 기판 상에 루테늄 산화막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 임계시간은 상기 기판 상에 루테늄 산화막이 형성되도록 하는 가장 긴 환원가스 공급시간인 것을 특징으로 하는 루테늄 산화막 증착방법.

제1항에 있어서,상기 환원가스는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 루테늄 산화막 증착방법.

제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판의 온도는 250℃ 이하의 온도로 유지하는 것을 특징으로 하는 루테늄 산화막 증착방법.

제1항 또는 제2항에 있어서,상기 루테늄 사산화물 공급 이후, 상기 루테늄 사산화물을 퍼지하는 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함하고,상기 환원가스 공급 이후, 상기 환원가스를 퍼지하는 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 산화막 증착방법.