기판;상기 기판 내에서 수직방향으로 연장 형성되는 소자 분리막;상기 소자 분리막 내에서 수직방향으로 연장 형성되는 제1 게이트 구조체; 및상기 소자 분리막과 수평방향으로 이격되고, 상기 기판 내에서 수직방향으로 연장 형성되는 제2 게이트 구조체를 포함하되,상기 소자 분리막 내 상기 제1 게이트 구조체 하부에는 상기 소자 분리막의 계면에 접하지 않는 중공의 포켓이 형성되는반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 소자 분리막은 절연 물질로 이루어지는반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 제1 게이트 구조체는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)을 구성하는 패싱 워드 라인(passing wordline)의 게이트 전극을 포함하는반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 중공의 포켓은, 상기 제1 게이트 구조체 하부에서 상기 소자 분리막에 의해 둘러싸인반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 중공의 포켓에는 상기 소자 분리막과는 다른 물질이 충진되는반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 중공의 포켓에는 상기 소자 분리막보다 낮은 유전율의 물질이 충진되는반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 중공의 포켓에는 공기(air)가 충진되는반도체 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 중공의 포켓은,기판을 에칭(etching)하여 트랜치(trench)를 형성하는 단계; 및상기 트랜치의 내부가 전부 채워지지 않은 상태에서 상기 트랜치의 입구 양단에 형성되는 오버행(overhang) 영역이 접할 때까지 상기 트랜치를 소자 분리막을 이루는 물질로 증착하는 단계;에 의해 형성되는반도체 메모리 장치.