메모리 셀들로 이루어진 제1 메모리 블록 및 제2 메모리 블록을 포함하는 메모리 셀 어레이;워드 라인을 통해 상기 메모리 셀 어레이와 연결되는 로우 디코더;비트 라인들 및 소스 라인들을 통해 상기 메모리 셀 어레이와 연결되는 칼럼 디코더;읽기 동작 시에 상기 메모리 셀 어레이의 데이터 전압과 기준 전압의 차이를 감지하여 선택된 메모리 셀에 저장된 데이터를 읽는 독출 회로; 및상기 독출 회로로부터 센싱되는 신호를 입력받아 상기 로우 디코더에 선택 신호를 전송하는 제어 로직을 포함하고,상기 독출 회로는, 상기 제1 메모리 블록의 제1 데이터 전압과 상기 제2 메모리 블록의 제1 기준 전압을 비교하여 상기 제1 데이터 전압을 센싱하고, 상기 제1 기준 전압과 상기 제2 메모리 블록의 제2 데이터 전압을 비교하여 상기 제2 데이터 전압을 센싱하는 저장 장치.

제1항에 있어서,상기 메모리 셀은,저장되는 데이터에 따라 저항이 가변되는 가변 저항 소자를 포함하는 저장 장치.

제2항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는,상기 데이터가 기입되는 데이터 셀 영역과 상기 데이터를 읽기 위한 기준 전압을 제공하는 기준 셀 영역을 포함하는 저장 장치.

제1항에 있어서,상기 독출 회로는,상기 제1 데이터 전압과 상기 제1 기준 전압의 차이값을 증폭하는 저장 장치.

제4항에 있어서,상기 제어 로직은,상기 제1 기준 전압이 디벨롭될 경우 기준 워드 라인을 차단하고, 데이터 워드 라인이 턴온 되도록 제어하는 저장 장치.

제5항에 있어서,상기 독출 회로는,상기 제1 기준 전압과 상기 제2 데이터 전압의 차이값을 증폭하는 저장 장치.

제1 메모리 블록 및 제2 메모리 블록을 포함하는 메모리 셀 어레이의 읽기 방법에 있어서,읽기 동작 시에 상기 메모리 셀 어레이의 데이터 전압과 기준 전압의 차이를 감지하여 선택된 메모리 셀에 저장된 데이터를 읽는 단계; 및상기 데이터를 읽는 단계로부터 센싱되는 신호를 입력받아 로우 디코더에 선택 신호를 전송하는 단계를 포함하고,상기 데이터를 읽는 단계는,상기 제1 메모리 블록의 제1 데이터 전압과 상기 제2 메모리 블록의 제1 기준 전압을 비교하여 상기 제1 데이터 전압을 센싱하고, 상기 제1 기준 전압과 상기 제2 메모리 블록의 제2 데이터 전압을 비교하여 상기 제2 데이터 전압을 센싱하는 저장 장치의 동작 방법.

제7항에 있어서,상기 데이터를 읽는 단계는,상기 제1 데이터 전압과 상기 제1 기준 전압의 차이값을 증폭하는 저장 장치의 동작 방법.

제8항에 있어서,상기 선택 신호를 전송하는 단계는,상기 제1 기준 전압이 디벨롭될 경우 기준 워드 라인을 차단하고, 데이터 워드 라인이 턴온 되도록 제어하는 저장 장치의 동작 방법.

제9항에 있어서,상기 데이터를 읽는 단계는,상기 제1 기준 전압과 상기 제2 데이터 전압의 차이값을 증폭하는 저장 장치의 동작 방법.