| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 게이트 전극으로 동작하는 기판;상기 기판 상에 적층되는 절연층;상기 절연층 상에 부착되며, 적어도 하나의 전이금속 칼코겐 화합물 층을 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 조각;상기 절연층 상에서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각에 연결되는 소스 전극;상기 절연층 상에서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각과 이격되어 위치하는 드레인 전극; 그리고상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 드레인 전극을 연결하는 유기물 판을 포함하되,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이에서 상기 기판에 인가되는 전압에 따라 역 이중극성을 가지는 소스-드레인 전류가 흐르고,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각의 두께가 증가하는 경우, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이의 전하이동도는 증가하는,나노소자. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 전압이 인가되지 않은 상태에서 상기 유기물 판에 특정 파장의 빛이 조사되는 경우, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에서 광전류가 발생하는 나노소자. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 전압이 인가되지 않은 상태에서 상기 유기물 판에 특정 파장의 빛이 조사되는 경우, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에서 상기 기판에 인가되는 전압에 따라 변화하는 광전류가 발생하는 나노소자. |
| 4 | 제 3 항에 있어서,상기 광전류는 상기 기판에 인가되는 전압의 크기에 따라 역 이중극성의 특성을 가지는 나노소자. |
| 5 | 제 3 항에 있어서,상기 광전류는 상기 기판에 인가되는 전압의 크기가 변화되는 경로에 따라 서로 다른 최대 값을 가지는 나노소자. |
| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 소스-드레인 전류는 상기 기판에 인가되는 전압의 크기가 변화되는 경로에 따라 서로 다른 최대 값을 가지는 나노소자. |
| 7 | 게이트 전극으로 동작하는 기판;상기 기판 상에 적층되는 절연층;상기 절연층 상에 부착되며, 적어도 하나의 전이금속 칼코겐 화합물 층을 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 조각;상기 절연층 상에서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각에 연결되는 소스 전극;상기 절연층 상에서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각과 이격되어 위치하는 드레인 전극; 그리고상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 드레인 전극을 연결하는 유기물 판을 포함하되,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이에서 상기 기판에 인가되는 전압에 따라 역 이중극성을 가지는 소스-드레인 전류가 흐르고,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이의 전하이동도는 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각의 두께에 따라 제어되는,나노소자. |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 게이트 전극으로 동작하는 기판;상기 기판 상에 적층되는 절연층;상기 절연층 상에 부착되며, 적어도 하나의 전이금속 칼코겐 화합물 층을 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 조각;상기 절연층 상에서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각에 연결되는 소스 전극;상기 절연층 상에서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각과 이격되어 위치하는 드레인 전극; 그리고상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 드레인 전극을 연결하는 유기물 판을 포함하되,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이에서 상기 기판에 인가되는 전압에 따라 역 이중극성을 가지는 소스-드레인 전류가 흐르고,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각에 포함된 전이금속 칼코겐 화합물 층의 수가 증가하는 경우, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이의 전하이동도는 증가하는,나노소자. |
| 10 | 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각은 상기 유기물 판과 2차원 구조 또는 수평적 구조로 연결되는 나노소자. |
| 11 | 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각은 MoS2로 구성된 적어도 하나의 층을 포함하는 나노소자. |
| 12 | 제 1 항에 있어서,상기 유기물 판은 루브린 나노판을 포함하는 나노소자. |
| 13 | 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각과 상기 유기물 판은 전계효과 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 나노소자. |
| 14 | 2차원 전이금속 칼코겐 화합물 조각을 포함하는 나노소자의 제조 방법에 있어서,게이트 전극의 기능을 수행하는 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각을 부착하는 단계;상기 절연층 상에, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각과 접촉하도록 소스 전극을 형성하는 단계;상기 절연층 상에, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각과 이격하여 드레인 전극을 형성하는 단계; 그리고상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 드레인 전극에 모두 연결되도록 미리 생성된 유기물 판을 이동시키는 단계를 포함하되,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판은 서로 수평적으로 접합되고,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각의 두께가 증가하는 경우, 상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각 및 상기 유기물 판 사이의 전하이동도는 증가하는,나노소자의 제조 방법. |
| 15 | 제 14 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 조각은 기계적 박리법에 의해 상기 절연층에 부착되는 나노소자의 제조 방법. |
| 16 | 제 14 항에 있어서,상기 유기물 판은 실리콘 산화물 기판에서 생성되어 마이크로 매니풀레이터에 달린 텅스텐 팁을 이용하여 이동되는 나노소자의 제조 방법. |
| 17 | 제 14 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 전자빔을 이용하여 증착될 영역을 패턴화한 후 Al, Cr, Au의 순서대로 증착하여 형성하는 나노소자의 제조 방법. |
