발광 고분자 물질의 일부분에 초점 전자빔(focused E-beam)을 조사하여, 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제1항에 있어서,상기 발광 고분자 물질은 나노선(nanowire), 나노로드(nanorod), 나노튜브(nanotube) 및 나노판(nanoplate) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어진 나노구조체인 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제1항에 있어서,상기 발광 고분자 물질은 π-공액 발광 고분자 나노선(nanowire)인 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 크기는 나노 크기(nano size) 이상인 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선을 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 위치시킨 후, 상기 초점 전자빔을 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 원하는 부분에 조사하는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선은 나노 다공성 템플레이트(nanoporous template)를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 초점 전자빔은 전자빔 리쏘그라피(E-beam lithography) 장치, 주사전자현미경(scanning electron microscope) 및 투과전자현미경(transmission electron microscope) 중 적어도 하나에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 초점 전자빔의 직경은 1 nm 내지 1000 nm 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 초점 전자빔의 밀도는 1.0×1012 electrons/cm2 내지 1.0×1022 electrons/cm2 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항에 있어서,상기 초점 전자빔의 에너지가 증가할수록 밀도가 작은 초점 전자빔을 이용하거나, 상기 초점 전자빔의 에너지가 감소할수록 밀도가 큰 초점 전자빔을 이용하여, 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성을 부분적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선은 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리티오펜비닐렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐아세틸렌) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선과 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 도핑 상태, 구조적 특성 및 발광 특성 중 적어도 하나가 한 가닥 내에서 서로 다르게 되도록 상기 초점 전자빔이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법.

π-공액 발광 고분자 나노선을 포함하는 나노 바코드를 제조하는 방법으로,상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 일부분에 초점 전자빔(focused E-beam)을 조사하되, 상기 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분과 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성이 서로 다르게 되도록 상기 초점 전자빔이 조사되는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제13항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성은 구조적 특성 및 발광 특성 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제13항에 있어서,상기 초점 전자빔은 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성이 변화되도록 조사되며,상기 나노 바코드는 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성의 변화를 인식하는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제15항에 있어서,상기 나노 바코드는 PL(photoluminescence) 크기로부터 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성의 변화를 인식하는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제15항에 있어서,상기 나노 바코드는 PL 색으로부터 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성의 변화를 인식하는 컬러 나노 바코드인 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제17항에 있어서, 상기 초점 전자빔이 조사된 부분은 상기 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분에 비해 PL 색이 적색 천이(red-shift)된 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제17항에 있어서,상기 초점 전자빔의 밀도 및 에너지 중 적어도 하나가 증가함에 따라 상기 초점 전자빔이 조사된 부분이 적색 천이되고, PL 크기가 증가하는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제17항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자는 P3MT(poly(3-methylthiophene))이고, 상기 초점 조사빔이 조사되지 않은 부분의 PL 색은 녹색이며, 상기 초점 전자빔의 밀도가 5.0×1016 electrons/cm2 내지 9.0×1016 electrons/cm2의 범위로 설정된 경우, 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 PL 색은 노란색이고, 상기 초점 전자빔의 밀도가 1.0×1017 electrons/cm2 내지 5.0×1017 electrons/cm2의 범위로 설정된 경우, 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 PL 색은 붉은색인 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 초점 전자빔은 전자빔 리쏘그라피 장치, 주사전자현미경 및 투과전자현미경 중 적어도 하나에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법.

π-공액 발광 고분자 나노선을 포함하는 나노 바코드로서, 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 바코드.

제22항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선은 부분적으로 물성이 상이한 단일 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 바코드.