(a) 인듐, 셀레늄 및 In2Se3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 증착 소스를 열증발(thermal evaporation)의 증착 방법으로 기판 상에 증착하여 코팅층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 코팅층을 열처리로 어닐링(annealing)하여 화학식 1로 표시되는 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 반도체 박막의 제조방법:[화학식 1]InxSey상기 화학식 1에서,x는 0003c#x≤3이고,y는 0003c#y≤4이다.

제1항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물이 In2Se3으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법:

제1항에 있어서,상기 인듐-셀레나이드 화합물이 κ상(kappa phase)의 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 반도체 박막이 강유전성(ferroelectricity) 또는 상유전성(paraelectricity)을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(a)의 증착 속도를 조절하여 상기 반도체 박막의 강유전성 또는 상유전성을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(a)의 증착 속도를 증가시켜 상기 반도체 박막을 상유전성으로부터 강유전성으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(a)의 증착 속도가 0.1 내지 3.4 Å s-1인 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(a)의 상기 코팅층의 두께를 조절하여 상기 반도체 박막의 강유전성 또는 상유전성을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(a)의 상기 코팅층의 두께를 증가시켜 상기 반도체 박막을 상유전성으로부터 강유전성으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(b)의 상기 반도체 박막의 두께가 5 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(b)의 상기 코팅층을 어닐링함에 의해 κ상(kappa phase)을 갖는 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 단계(b)의 상기 코팅층의 어닐링을 200 내지 400 ℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막의 제조방법.

κ상(kappa phase)을 갖고 화학식 1로 표시되는 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막.[화학식 1]InxSey상기 화학식 1에서,x는 0003c#x≤3이고,y는 0003c#y≤4이다.

제13항에 있어서,상기 반도체 박막이 1.0 내지 2.0 eV의 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.

제13항에 있어서,상기 반도체 박막이 1x106 이상의 on/off 전류비와 10 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.

제13항에 있어서,상기 반도체 박막에서 Se-In-Se-In-Se의 순서로 5개의 원자가 하나의 층을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 박막.

제13항에 있어서,상기 반도체 박막이 박막트랜지스터, 메모리소자, 태양전지, 발광 다이오드, 포토 다이오드 및 포토 센서로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 n-채널에 사용하기 위한 것을 특징으로 하는 반도체 박막.

게이트 전극(100);상기 게이트 전극 상에 위치하는 절연층(200);상기 절연층 상에 위치하고, 화학식 1로 표시되는 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막(300); 및상기 반도체 박막 상에 서로 이격되어 위치하는 소스 전극(400) 및 드레인 전극(500);을 포함하는 박막 트랜지스터(10).[화학식 1]InxSey상기 화학식 1에서,x는 0003c#x≤3이고,y는 0003c#y≤4이다.

제18항에 있어서,상기 반도체 박막이 κ상(kappa phase)의 인듐-셀레나이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.

제17항에 있어서,상기 게이트 전극이 n-도핑된 실리콘(n-doped Si), p-도핑된 실리콘(p-doped Si), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이터븀(Yb), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 산화금, 산화백금, 산화은, 산화팔라듐, 산화철, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nano tube, CNT), 은 나노와이어(Ag nanowire, Ag NW), 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide) 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리스티렌 설폰산(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, PEDOT:PSS)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.