제1 금속산화물층;제2 금속산화물층; 및상기 제1 금속산화물층 및 상기 제2 금속산화물층 사이에 개재된 잔여 액체금속을 포함하는 액체금속층;을 포함하는, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 제1 금속산화물층 및 제2 금속산화물층은, 각각, 액체금속의 산화물이고,상기 액체금속은, 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 공융 갈륨-인듐(EGaIn), 갈륨-알루미늄(Ga-Al), 갈륨-주석(Ga-Sn), 갈륨-아연(Ga-Zn) 및 갈륨-알루미늄(Ga-Al)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 금속산화물은,GaOx, Ga2O3, InOx, AlOx, SnO2 및 ZnO로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 투명 산화막 전극은 비정질인 것인, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 제1 금속산화물층의 두께는 1 nm 내지 10 nm이고,상기 액체금속층의 두께는 0.1 nm 내지 8 nm이고,상기 제2 금속산화물층의 두께는 1 nm 내지 10 nm인 것인, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 투명 산화막 전극 표면의 거칠기(rms roughness)는, 0.5 nm 내지 2 nm인 것인, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 투명 산화막 전극의 면저항은 5 × 102 Ω/sq 내지 5 × 108 Ω/sq인 것인, 투명 산화막 전극.

제1항에 있어서,상기 투명 산화막 전극의 광투과율은 85 % 내지 99 %인 것인, 투명 산화막 전극.

이격된 2 개의 유리기판을 포함하는 프린터 헤드에 액체금속을 채우는 단계; 및상기 프린터 헤드를 기판 상에서 상기 기판의 길이 방향을 따라 이동시키며 투명 산화막 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 투명 산화막 전극의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 기판은, 실리콘(silicon, Si), 산화규소(silicon oxide. SiO2), 산화알루미늄(aluminium oxide, Al2O3), 산화마그네슘(magnesium oxide, MgO), 탄화규소(silicon carbide, SiC), 질화규소(silicon nitride, SiN), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 그래파이트(graphite), 그래핀(graphene), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에스테르(polyester, PE), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(poly(2,6-ethylenenaphthalate), PEN), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 플루오르폴리머(fluoropolymers, FEP), 폴리비닐리덴 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride, PVDF), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 및 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(MPTMS) 처리된 Au 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 투명 산화막 전극의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 투명 산화막 전극을 형성하는 단계는, 상기 프린터 헤드의 상기 2 개의 유리기판 사이에 채워진 상기 액체금속이 상기 프린터 헤드를 빠져나와 공기와 접촉하는 상부와 상기 기판과 접촉하는 하부에, 각각, 제1 금속산화물층 및 제2 금속산화물층이 형성되고,상기 제1 금속산화물층과 제2 금속산화물층 사이에는 잔여 액체 금속을 포함하는 액체 금속층이 개재되는 것인, 투명 산화막 전극의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 투명 산화막 전극을 형성하는 단계에서, 상기 프린터 헤드를 기판 상에서 상기 기판의 길이 방향을 따라 이동시키는 속도는, 0.001 mm/s 내지 5 mm/s인 것인, 투명 산화막 전극의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 투명 산화막 전극을 형성하는 단계 이후에,상기 투명 산화막 전극을 50 ℃ 내지 1,500 ℃의 온도 범위에서 어닐링 하는 단계;를 더 포함하는, 투명 산화막 전극의 제조방법.

제1항의 투명 산화막 전극 또는 제9항의 투명 산화막 전극의 제조방법에 의해 제조된 투명 산화막 전극을 포함하는 전자소자.

제14항에 있어서,상기 전자소자는, 디지털 메모리 장치, 박막 트랜지스터, 평판 디스플레이, 곡면 디스플레이, 터치 스크린 패널, 태양전지, 유기 발광 다이오드, 스마트폰, 태블릿 PC, 웨어러블 디바이스, e-페이퍼, e-윈도우, 전기 변색 미러(electrochromic mirror), 투명 발열판(transparent heater), 히트 미러(heat mirror), 투명 히터, 투명 트랜지스터, 투명 변위 감지 센서(strain sensor) 또는 유연 디스플레이인 것인,전자소자.