수직형 게이트 스택;상기 수직형 게이트 스택의 양 영역에서 수직 방향(orthogonal direction)으로 배치되고 전압 채널을 형성하여 상기 수직형 게이트 스택에 전류 채널을 생성하는 소스 및 드레인;상기 수직형 게이트 스택의 양 영역 사이에 나란하게 배치되며 전압차를 생성하는 제1 및 제2 홀 단자들을 포함하며, 상기 소스 및 드레인 양단에 전압을 인가하여 전류가 흐르도록 하고, 상기 소스 및 드레인과 평행한 방향으로 자기장을 가하면서 제1 홀 단자 및 제2 홀단자에서의 전압 차이를 측정하여 홀 신호 측정(RH)을 진행하는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제1 항에 있어서, 상기 소스, 드레인, 제1 홀 단자 및 제2 홀 단자는 메탈 라인으로 형성되며, 상기 메탈 라인들은 W, Pt, Ti, Au, Ti, Mo 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나의 금속 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인은 서로 교차되는 방향을 따라 연장된 라인 형태로 형성되며, 상기 제1 홀 단자 및 제2 홀 단자는 상기 드레인과 평행한 방향을 따라 연장된 라인 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제1 항에 있어서, 상기 수직형 게이트 스택은 드레인과 소스가 교차되는 부분을 관통하여 형성되며, 상기 수직형 게이트 스택은 채널으로 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제4 항에 있어서, 상기 채널 및 수직형 게이트 스택 하부의 일정 영역은 상기 드레인과 접촉되고, 상기 채널 및 수직형 게이트 스택 상부의 일정 영역은 상기 소스와 접촉되는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제4 항에 있어서, 상기 제1 홀 단자 및 제2 홀 단자는 소스 및 드레인 사이에 위치하며, 채널의 중간 영역 일부와 접촉된 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제1 항에 있어서, 제1 홀 단자, 제2 홀 단자, 소스 메탈 라인, 드레인 메탈 라인은 서로 절연막을 통해 각각 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

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제1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 양단에는 0.1 내지 5V의 전압을 인가할 수 있으며, 상기 자기장은 AC 자기장으로, 자기장의 세기를 주기적으로 변화시키면서 홀 측정을 진행하는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

제1 항에 있어서, 상기 홀 신호 측정을 통해 캐리어 타입, 캐리어 밀도(농도), 캐리어 이동도 등을 계산할 수 있는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서.

반도체 기판 상부에 드레인 메탈 라인을 형성하는 단계;상기 드레인 메탈 라인을 포함하는 상기 반도체 기판 전체 상부에 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막 상부에 수직형 게이트 스택 예정 영역을 사이에 두고 나란하게 배치되는 홀 단자 메탈 라인을 형성하는 단계;상기 홀 단자 메탈 라인을 포함하는 전체 상부에 제2 절연막을 증착하고, 상기 제2 절연막 상부에 상기 드레인 메탈 라인과 교차하는 방향으로 연장된 소스 메탈 라인을 형성하는 단계; 상기 소스 메탈 라인과 드레인 메탈 라인이 교차되는 부분에 게이트 스택용 홀을 형성하는 단계;상기 홀 내부에 채널과 수직형 게이트 스택을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 소스 메탈 라인 및 드레인 메탈 라인 양단에 전압을 인가하여 전류가 흐르도록 하고, 상기 소스 메탈 라인 및 드레인 메탈 라인과 평행한 방향으로 자기장을 가하면서 상기 홀 단자 메탈 라인에서 전압 차이를 측정하여 홀 신호 측정(RH)을 진행하는 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서 제조 방법.

제11 항에 있어서, 상기 소스 메탈 라인, 드레인 메탈 라인 및 홀 단자 메탈 라인은 W, Pt, Ti, Au, Ti, Mo 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나의 금속 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 수직 구조의 홀 센서 제조 방법.