이온젤층;상기 이온젤층 상면에 배치되는 상부 전극층; 및상기 이온젤층 하면에 배치되는 하부 전극층;을 포함하고, 상기 상부 전극층 및 하부 전극층은, 각각, 이중층 및 크랙된 금속층을 포함하고,상기 이중층은, 각각, 제1 금속 입자/고분자층 및 제2 금속 입자/고분자층을 포함하는 것이고,상기 제1 금속 입자/고분자층은 고분자층에 제1 금속 입자가 혼합된 것이고,상기 제2 금속 입자/고분자층은 고분자층에 제2 금속 입자가 혼합된 것이고,상기 제1 금속 입자 및 제2 금속 입자는, 각각, 직경이 5 ㎛ 내지 20 ㎛이고,상기 상부 전극층의 상기 제1 금속 입자는, 상기 제1 금속 입자/고분자층 중 75 중량% 내지 80 중량%이고, 상기 제2 금속 입자는, 제2 금속 입자/고분자층 중 67 중량% 내지 80 중량%인 것이고, 상기 하부 전극층의 상기 제1 금속 입자는, 상기 제1 금속 입자/고분자층 중 75 중량% 내지 80 중량%이고, 상기 제2 금속 입자는, 제2 금속 입자/고분자층 중 67 중량% 내지 80 중량%인 것인, 연신성 복합 전극.

제1항에 있어서,상기 이온젤층은, 이온성 액체와 폴리머 바인더의 혼합물을 포함하고, 상기 이온성 액체는, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([EMIM][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMIM][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMIM][PF6]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트 ([EMIM][BF4]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(BMIM][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMIM][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드 ([EMIM][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 폴리머 바인더는, 폴리(비닐리덴 플루오라이드-코-헥사플루오로프로필렌(poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene); (P(VDF-HFP)), 폴리(스티렌-블록-에틸렌 옥사이드-블록-스티렌 (poly(styrene-block-ethylene oxide-block-styrene); PSPEOPS) 및 폴리(스티렌-블록메틸메타크릴레이트-블록-스티렌)(poly(styrene-blockmethylmethacrylate-block-styrene; PSPMMAPS)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연신성 복합 전극.

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제1항에 있어서,상기 제1 금속 입자 및 제2 금속 입자는, 각각, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 티타늄(Ti) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,연신성 복합 전극.

삭제

제1항에 있어서,상기 고분자층은, 폴리디메틸실록산(PDMS), 스티렌 에틸렌 부틸렌 스티렌 블록 공중합체(SEBS) 고무, 스티렌 이소프렌 스티렌 블록 공중합체(SIS) 고무, 스티렌 부타디엔 스티렌 블록 공중합체(SBS) 고무, 폴리이소프렌 고무, 스티렌 부타디엔 블록 공중합체(SB) 고무, 스티렌 이소프렌 블록 공중합체(SI) 고무, 스티렌 이소프렌 부타디엔 스티렌 블록 공중합체(SIBS) 고무, 스티렌 에틸렌 프로필렌 스티렌 블록 공중합체(SEPS) 고무, 스티렌 에틸렌 프로필렌 블록 공중합체(SEP) 고무 및 고무티렌 부타디엔 스티렌 블록 공중합체(SBS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연신성 복합 전극.

제1항에 있어서,상기 크랙된 금속층은, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 티타늄(Ti) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이고, 상기 크랙된 금속층은, 두께가 45 nm 내지 100 nm인 것인, 연신성 복합 전극.

제1항에 있어서,상기 상부 전극층의 상부 및 하부 전극층의 하부에, 각각, 탄성 기판을 더 포함하고, 상기 탄성 기판은, 각각, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS), 플루오로엘라스토머(Fluoroelastomer), 비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 공중합체(poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene)), 열경화성 폴리우레탄, 실리콘(silicone), 에코플렉스(ecoflex) 및 드래곤 스킨(dragon skin)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연신성 복합 전극.

제1항에 있어서,상기 연신성 복합 전극은, 상기 제1 금속입자/고분자층의 금속입자 함량이 75 중량% 미만인 경우 100 Hz 내지 102 Hz 주파수 범위에서 임피던스가 107 Ω에서 106 Ω이고, 75 중량% 이상 80 중량% 이하인 경우 100 Hz 내지 102 Hz 주파수 범위에서 임피던스가 107 Ω 내지 106 Ω으로 유지되고, 80 중량% 초과인 경우 100 Hz 내지 102 Hz 주파수 범위에서 임피던스가 106 Ω에서 109 Ω인 것인,연신성 복합 전극.

제1항에 있어서,상기 연신성 복합 전극은, 스트레인-포지티브(strain-positive) 및 스트레인-네거티브(strain-negative)에 변형율 10% 내지 60%인 경우 100 Hz 내지 106 Hz 주파수 범위에서 임피던스 변화량이 스트레인-중립(strain-neutral)에 가까운 것인, 연신성 복합 전극.

상부 전극층 및 하부 전극층을 준비하는 단계;상기 상부 전극층 및 상기 하부 전극층, 각각에 이온젤층을 형성하는 단계; 및상기 상부 전극층의 이온젤층 및 상기 하부 전극층의 이온젤층이 마주보게 위치시킨 후 열처리하는 단계;를 포함하는, 제1항의 연신성 복합 전극의 제조방법.

제11항에 있어서,상기 하부 전극층 및 상기 상부 전극층 형성 단계는, 각각, 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 패턴 마스크를 올린 후 이중층을 형성하는 단계;상기 마스크를 제거한 후 상기 이중층을 열처리하는 단계;상기 열처리된 이중층 상에 탄성 고분자를 코팅하는 단계;상기 탄성 고분자를 경화하여 탄성 기판을 형성하는 단계; 상기 희생층을 제거하여 기판을 분리하는 단계; 상기 이중층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층을 연신시켜 금속층에 크랙을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 연신성 복합 전극의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 기판 상에 희생층을 형성하는 단계는,기판 상에 폴리아크릴산(Poly acrylic acid; PAA), 폴리비닐피롤리돈(Poly(vinylpyrrolidone); PVP), 덱스트란(Dextran) 및 폴리(메틸 메타크릴레이트)(Poly(methyl methacrylate); PMMA), 폴리(비닐 알코올)(Poly(vinyl Alcohol); PVA)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 용액을 스핀 코팅한 후 80 ℃ 내지 150 ℃에서 10분 내지 60 분 동안 열처리하여 형성하는 것인, 연신성 복합 전극의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 이중층을 형성하는 단계는, 제1 금속 입자를 고분자층에 혼합한 제1 금속/고분자층 잉크를 블레이드 코팅하여 제1 금속 입자/탄성 고분자를 코팅하는 단계;상기 제1 금속 입자/고분자층 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 및상기 플라즈마 처리된 상기 제1 금속 입자/고분자층 상에 제2 금속 입자를 고분자층에 혼합한 제2 금속/고분자층 잉크를 블레이드 코팅하여 제2 금속 입자/탄성 고분자를 코팅하는 단계;를 포함하는 것인, 연신성 복합 전극의 제조방법.

제14항에 있어서,상기 플라즈마 처리하는 단계는, 산소 플라즈마 80 W 내지 120 W의 전력 범위에서 산소 유량 30 sccm 내지 50 sccm으로 1초 내지 300 초 동안 수행하는 것인, 연신성 복합 전극의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 이중층을 열처리하는 단계는, 100 ℃ 내지 200 ℃의 온도 범위에서 진공 조건으로 1 시간 내지 6 시간 동안 열처리하는 것인, 연신성 복합 전극의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 이중층이 형성된 기판을 분리하는 단계는, 20 ℃ 내지 100 ℃의 온도 범위의 탈이온수에 30 분 내지 300 분 동안 담가 상기 희생층을 제거하여 분리하는 것인, 연신성 복합 전극의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 금속층을 연신시켜 금속층에 크랙을 형성하는 단계는, 상기 금속층 중착 이후 30% 내지 80% 범위의 연신을 인가 했다가 제거하는 사전 과정을 5회 내지 20회 반복 수행하는 것인, 연신성 복합 전극의 제조방법.

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제1항의 연신성 복합 전극 또는 제11항의 연신성 복합 전극의 제조방법에 의해 제조된 연신성 복합 전극을 포함하는 온도 센서.