나노입자층을 가지는 모트 임계 스위치 소자
Mott Threshold Switch Device With Nanoparticle Layer
특허 요약
본 발명은 모트 임계 스위치 소자에서 절연체에서 금속으로의 상전이에 필요한 임계 전압과 전력을 낮추고, 메모리 시간을 연장하는 것을 목적으로 한다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 모트 임계 스위치 소자는, 기판, 상기 기판 위에 형성되는 나노입자층 및 상기 나노입자층 위에 형성되는 VO 2 층을 포함하고, 상기 나노입자층은 서로 연결되지 않고 독립적인 금속 나노입자가 분산되어 배치될 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | TiO2 단결정인 기판;상기 기판 위에 형성되는 나노입자층; 및상기 나노입자층 위에 형성되는 VO2 층을 포함하고,상기 나노입자층은 서로 연결되지 않고 독립적인 금속 나노입자가 분산되어 배치되며, 상기 VO2층은 입계가 없는 상태에서 서로 다른 상을 가지는 도메인이 공존하는 유사 단결정 상태인,모트 임계 스위치 소자. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자의 금속은 Pt, Pd, Au 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 모트 임계 스위치 소자. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자의 직경은 2~10nm범위인, 모트 임계 스위치 소자. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 기판 위에서 상기 나노입자층의 상기 금속 나노입자가 차지하는 면적은 상기 기판의 전체 면적에서 10~60%인, 모트 임계 스위치 소자. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제 1 항에 있어서,상기 기판은 TiO2 단결정이면서 상기 나노입자층과 상기 VO2층이 증착되는 증착면은 (001)면이고,상기 VO2층은 유사 단결정이면서 (001)면으로 에피택시 증착되는, 모트 임계 스위치 소자. |
