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제10항에 있어서, 상기 게이트 스택은,상기 제1 영역 상에 배치된 중간층;상기 중간층 상에 배치된 이온 저장층; 및상기 이온 저장층 상에 배치된 게이트 전극을 포함하는 3단자 시냅스 소자의 최대 컨덕턴스 제한 방법.

반도체 기판;상기 반도체 기판 상부에 배치된 채널층;상기 채널층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되되, 상기 채널층의 양측면에 각각 접하도록 배치된 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 채널층 상에 배치된 게이트 스택을 포함하고,상기 채널층은 상기 게이트 스택과 겹치는 제1 영역 및 상기 게이트 스택으로부터 노출된 제2 영역을 포함하되,상기 채널층의 최소 저항값은 상기 제1 영역에서의 저항값이 0일 때의 상기 채널층의 저항값인 것인 3단자 시냅스 소자.

제1항에 있어서,상기 제1 영역은 가변저항 성분을 갖고, 상기 제2 영역은 고정저항 성분을 갖는 것인 3단자 시냅스 소자.

제1항에 있어서,상기 채널층의 전체 저항값은 상기 제1 영역의 저항값과 상기 제2 영역의 저항값을 합한 저항값인 것인 3단자 시냅스 소자.

제1항에 있어서,상기 채널층의 전체 저항값은 다음식에 따르고,여기서,Rch1 : 상기 제1 영역의 저항값Rch2 : 상기 제2 영역의 저항값Lch1 : 상기 제1 영역의 길이Lch : 상기 채널층의 전체 길이Wch : 상기 채널층의 폭을 각각 나타내는 것인 3단자 시냅스 소자.

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제1항에 있어서,상기 게이트 스택 내에 형성된 활성 이온은, 상기 게이트 스택에서 상기 제1 영역으로 또는 상기 제1 영역에서 상기 게이트 스택으로 이동되는 것인 3단자 시냅스 소자.

제1항에 있어서,상기 채널층은 Pr0.7Ca0.3MNO3-x(0003c#x≤0.5) 또는 WOx(2.5≤x≤3) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 3단자 시냅스 소자.

제1항에 있어서, 상기 게이트 스택은,상기 제1 영역 상에 배치된 중간층;상기 중간층 상에 배치된 이온 저장층; 및상기 이온 저장층 상에 배치된 게이트 전극을 포함하는 3단자 시냅스 소자.

제8항에 있어서,상기 제1 영역은 상기 중간층과 접하고, 상기 제2 영역은 상기 중간층으로부터 노출되는 것인 3단자 시냅스 소자.

반도체 기판 상에 배치된 채널층이 게이트 스택과 겹치는 제1 영역 및 상기 게이트 스택으로부터 노출된 제2 영역을 포함하는 3단자 시냅스 소자에 있어서,상기 제1 영역의 길이 변화에 따른 상기 채널층의 전체 저항값을 각각 측정하는 단계;상기 측정된 채널층의 전체 저항값을 이용하여 상기 제2 영역의 저항값을 도출하는 단계;상기 도출된 제2 영역의 저항값을 이용하여 상기 제1 영역의 저항값을 계산하는 단계;상기 채널층의 최소 저항값을 계산하는 단계; 및상기 최소 저항값을 이용하여 상기 채널층의 최대 컨덕턴스값을 계산하는 단계를 포함하고, 상기 채널층의 최소 저항값을 계산하는 단계에서,상기 채널층의 최소 저항값은 상기 제1 영역에서의 저항값이 0일 때의 상기 채널층의 저항값인 것인 3단자 시냅스 소자의 최대 컨덕턴스 제한 방법.

제10항에 있어서, 상기 채널층의 전체 저항값을 각각 측정하는 단계는,상기 측정된 채널층의 전체 저항값을 이용하여 추세선(trend line)을 설정하는 단계를 더 포함하는 3단자 시냅스 소자의 최대 컨덕턴스 제한 방법.

제10항에 있어서,상기 제1 영역의 저항값 및 상기 최소 저항값을 계산하는 단계는 다음식에 따르고,여기서,Rch1 : 상기 제1 영역의 저항값Rch2 : 상기 제2 영역의 저항값Lch1 : 상기 제1 영역의 길이Lch : 상기 채널층의 전체 길이Wch : 상기 채널층의 폭을 각각 나타내는 것인 3단자 시냅스 소자의 최대 컨덕턴스 제한 방법.