고분자 필름; 및 상기 고분자 필름에 삽입되어 정렬된 전도성 입자를 포함하고, 상기 전도성 입자는 고분자 필름의 상부 및 하부 표면 외부로 노출되어 있는 것이고,상기 전도성 입자 간 간격은 10 ㎛ 내지 400 ㎛ 인 것이고,상기 전도성 입자는 외부 표면의 10 % 내지 30 %가 고분자 필름의 외부로 노출되어 있는 것인 연신성 ACF.

제1항에 있어서,상기 고분자 필름은 무수말레인산이 그래프트된 열가소성 고무를 포함하는 것인 연신성 ACF.

제2항에 있어서,상기 열가소성 고무는 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌(SEBS), 스티렌-이소프렌-스티렌(SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌(SBS), 폴리우레탄(PU) 계 고무 및 폴리올레핀(PO) 계 고무에서 선택된 것인 연신성 ACF.

제1항에 있어서,상기 전도성 입자의 직경은 10 ㎛ 내지 200 ㎛ 인 것인 연신성 ACF.

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제1항에 있어서, 상기 전도성 입자는 격자형, 허니콤형, 선형 및 사각형 중 어느 한 배치 형태로 정렬된 것인 연신성 ACF.

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제1항에 있어서, 100 %의 연신율로 연신하였을 때의 응력이 10 MPa 이하인 연신성 ACF.

볼록부 및 오목부를 포함하는 패턴으로 패터닝된 고분자 필름을 제조하는 단계;상기 패터닝된 고분자 필름의 상기 오목부에 전도성 입자를 배치하여 전도성 입자가 정렬된 고분자 필름을 수득하는 단계; 및상기 전도성 입자가 정렬된 고분자 필름을 열압착하는 단계;를 포함하는 것이고,상기 패터닝된 고분자 필름을 제조하는 단계는,다회용 스탬프를 제조하는 단계; 및상기 다회용 스탬프를 고분자 필름과 열압착하여 볼록부 및 오목부를 포함하는 패턴으로 패터닝된 고분자 필름을 제조하는 단계;를 포함하는 것이고,상기 전도성 입자를 배치하는 단계는,상기 패터닝된 고분자 필름의 일부 또는 전부에 다수의 전도성 입자를 위치시키는 단계;탄성부재를 상기 패터닝된 고분자 필름으로부터 상기 전도성 입자 직경의 1배 내지 10배의 이격거리로 상기 전도성 입자 상에 위치시키는 단계; 및상기 패터닝된 고분자 필름을 일 방향으로 1회 또는 복수회 소정 거리를 왕복시켜 상기 탄성부재가 상기 전도성 입자를 상기 패터닝된 고분자 필름의 상기 오목부에 삽입시키는 단계;를 포함하는 것인, 제1항에 따른 연신성 ACF(Anisotropic Conductive Film)의 제조방법.

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제9항에 있어서, 상기 다회용 스탬프를 제조하는 단계는, 기재 상에 포토레지스트를 코팅하고 경화하여 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층 상에 포토마스크를 위치시키고 광을 조사하여 패터닝된 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 패터닝된 포토레지스트층을 추가 경화하고 현상 용액에 침지하여 몰드를 제조하는 단계; 및상기 몰드를 이용하여 볼록부 및 오목부를 포함하는 패턴을 포함하는 다회용 스탬프를 제조하는 단계; 를 포함하는 것인 연신성 ACF의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 고분자 필름은 무수말레인산이 그래프트된 열가소성 고무를 5 중량% 내지 20 중량% 포함하는 용액을 코팅하고 건조하여 제조된 것인 연신성 ACF의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 다회용 스탬프를 상기 고분자 필름과 열압착하는 단계;는 150 ℃ 내지 200 ℃의 온도에서 5 분 내지 20 분 동안 열압착하여 수행되는 것인 연신성 ACF의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 패터닝된 고분자 필름의 상기 오목부는 상기 다회용 스탬프의 볼록부에 의해 형성되고, 상기 패터닝된 고분자 필름의 상기 볼록부는 상기 다회용 스탬프의 오목부에 의해 형성되는 것인 연신성 ACF의 제조방법.

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제9항에 있어서, 상기 전도성 입자가 정렬된 고분자 필름을 열압착하는 단계;는 100 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 1 시간 내지 4 시간 동안 열압착하여 수행되는 것인 연신성 ACF의 제조방법.

제9항에 있어서,상기 열압착하는 단계 이후에 상기 연신성 ACF의 일면 또는 양면을 산소 플라즈마로 표면처리하는 단계를 더 포함하는 것인 연신성 ACF의 제조방법.

제1항에 따른 연신성 ACF를 포함하는 계면 접합 부재.

전극 및 전자 부품 중 1종 이상 및 제18항에 따른 계면 접합 부재를 포함하는 소자.

제19항에 있어서, 상기 전극 및 전자 부품 중 1종 이상은 상기 계면 접합 부재와 접하는 면에 친수성 표면 처리된 것인 소자.

제20항에 있어서, 상기 친수성 표면 처리는 산소 플라즈마 처리인 것인 소자.

제20항에 있어서, 상기 친수성 표면 처리는 실란 화합물을 이용하는 것인 소자.

제22항에 있어서, 상기 실란 화합물은 티올기, 아민기, 글리시딜기, 히드록시기, 카르복실기, 비닐기, 포스포네이트기, 무수물기, (메트)아크릴레이트기, 이소시아네이트기, 알데하이드기, 시아노기, 아자이드기, 에스테르기 및 할로겐 치환기 중 1종 이상을 포함하는 것인 소자.

제19항에 있어서, 상기 전자 부품은 능동소자 및 수동소자 중 1종 이상을 포함하는 것인 소자.

제19항에 있어서, 상기 전극은 전도성 물질층이 형성되어 있는 기판을 포함하는 것인 소자.