제 9항에 있어서,상기 n은 10인 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제1 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제1 입력 라인, 제1 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제1 입력 라인과 직교하는 제1 출력 라인, 및 상기 제1 입력 라인과 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제1 저항 변화 소자를 포함하는 제1 저항 변화 소자 어레이; 및제2 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제2 입력 라인, 제2 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제1 입력 라인과 직교하는 제2 출력 라인, 및 상기 제2 입력 라인과 상기 제2 출력 라인의 교차점에 위치하는 제2 저항 변화 소자를 포함하는 제2 저항 변화 소자 어레이를 포함하되,상기 제1 저항 변화 소자의 가중치와 상기 제2 저항 변화 소자의 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적에 각각 비례하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상이한 것이되,상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자는 뉴럴 네트워크에 가중치를 면적으로 배당하는 계면 반응성 저항 변화 메모리이고, 상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자의 전도도와 각각 정비례하고, 상기 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자를 통해 제공되는 전도도의 단계에 대응하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적의 n배이고, 상기 n은 자연수이되,상기 뉴럴 네트워크는,n2개의 상기 전도도의 단계에 대응하고, 상기 제2저항 변화 소자의 상기 전도도의 단계에 대응하는 단위 가중치를 최소 단위로 하는 상기 가중치로 전기적 펄스를 전달 가능한 것인, 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

삭제

제 1항에 있어서,상기 n은 10인 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제 1항에 있어서,상기 제1 저항 변화 소자와 상기 제2 저항 변화 소자의 재료는 금속산화물을 포함하는 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제 4항에 있어서,상기 금속산화물은 PCMO 물질, TiOx 물질, MoOx 물질, 및 WOx 물질 중 적어도 하나를 포함하는 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제1 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제1 입력 라인, 제1 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제1 입력 라인과 직교하는 제1 출력 라인, 및 상기 제1 입력 라인과 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제1 저항 변화 소자를 포함하는 제1 저항 변화 소자 어레이;제2 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제2 입력 라인, 제2 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제2 입력 라인과 직교하는 제2 출력 라인, 및 상기 제2 입력 라인과 상기 제2 출력 라인의 교차점에 위치하는 제2 저항 변화 소자를 포함하는 제2 저항 변화 소자 어레이; 및제3 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제3 입력 라인, 제3 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제3 입력 라인과 직교하는 제3 출력 라인, 및 상기 제3 입력 라인과 상기 제3 출력 라인의 교차점에 위치하는 제3 저항 변화 소자를 포함하는 제3 저항 변화 소자 어레이를 포함하되,상기 제1 저항 변화 소자의 가중치와 상기 제2 저항 변화 소자의 가중치와 상기 제3 저항 변화 소자의 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적에 각각 비례하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적은 서로 상이한 것이되,상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자는 뉴럴 네트워크에 가중치를 면적으로 배당하는 계면 반응성 저항 변화 메모리이고, 상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자의 전도도와 각각 정비례하고, 상기 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자를 통해 제공되는 전도도의 단계에 대응하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적의 비율은 n2:n:1이고, 상기 n은 자연수이되,상기 뉴럴 네트워크는,n³개의 상기 전도도의 단계에 대응하고, 상기 제3저항 변화 소자의 상기 전도도의 단계에 대응하는 단위 가중치를 최소 단위로 하는 상기 가중치로 전기적 펄스를 전달 가능한 것인, 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

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제 6항에 있어서,상기 n은 10인 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제1 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제1 입력 라인, 제2 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제2 입력 라인, 제1 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제1 입력 라인 및 상기 제2 입력 라인과 직교하는 제1 출력 라인, 상기 제1 입력 라인과 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제1 저항 변화 소자, 및 상기 제2 입력 라인과 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제2 저항 변화 소자를 포함하는 저항 변화 소자 어레이를 포함하되,상기 제1 저항 변화 소자의 가중치와 상기 제2 저항 변화 소자의 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적에 각각 비례하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상이한 것이되,상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자는 뉴럴 네트워크에 가중치를 면적으로 배당하는 계면 반응성 저항 변화 메모리이고, 상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자의 전도도와 각각 정비례하고, 상기 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자 및 상기 제2 저항 변화 소자를 통해 제공되는 전도도의 단계에 대응하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적의 n배이고, 상기 n은 자연수이되,상기 뉴럴 네트워크는,n2개의 상기 전도도의 단계에 대응하고, 상기 제2저항 변화 소자의 상기 전도도의 단계에 대응하는 단위 가중치를 최소 단위로 하는 상기 가중치로 전기적 펄스를 전달 가능한 것인, 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

삭제

제 9항에 있어서,상기 제1 저항 변화 소자와 상기 제2 저항 변화 소자의 재료는 금속산화물을 포함하는 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제 12항에 있어서,상기 금속산화물은 PCMO 물질, TiOx 물질, MoOx 물질, 및 WOx 물질 중 적어도 하나를 포함하는 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

제1 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제1 입력 라인, 제2 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제2 입력 라인, 제3 입력 뉴런으로부터 수평으로 연장하는 제3 입력 라인, 제1 출력 라인, 상기 제1 입력 라인과 제1 출력 뉴런으로부터 수직으로 연장하되 상기 제1 입력 라인, 상기 제2 입력 라인 및 상기 제3 입력 라인과 직교하는 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제1 저항 변화 소자, 상기 제2 입력 라인과 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제2 저항 변화 소자, 및 상기 제3 입력 라인과 상기 제1 출력 라인의 교차점에 위치하는 제3 저항 변화 소자를 포함하는 저항 변화 소자 어레이를 포함하되,상기 제1 저항 변화 소자의 가중치와 상기 제2 저항 변화 소자의 가중치와 상기 제3 저항 변화 소자의 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적에 각각 비례하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적은 서로 상이한 것이되,상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자는 뉴럴 네트워크에 가중치를 면적으로 배당하는 계면 반응성 저항 변화 메모리이고, 상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적은 상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자의 전도도와 각각 정비례하고, 상기 가중치는 상기 제1 저항 변화 소자 내지 상기 제3 저항 변화 소자를 통해 제공되는 전도도의 단계에 대응하고,상기 제1 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제2 저항 변화 소자의 단면의 면적과 상기 제3 저항 변화 소자의 단면의 면적의 비율은 n2:n:1이고, 상기 n은 자연수이되,상기 뉴럴 네트워크는,n³개의 상기 전도도의 단계에 대응하고, 상기 제3저항 변화 소자의 상기 전도도의 단계에 대응하는 단위 가중치를 최소 단위로 하는 상기 가중치로 전기적 펄스를 전달 가능한 것인, 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.

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제 14항에 있어서,상기 n은 10인 저항 변화 메모리 어레이 기반의 가중 시냅스를 이용한 뉴럴 네트워크.