높은 전기전도도를 갖는 페로브스카이트 주석 산화물 지지층 위에 표면석출된 금속 나노 입자의 제조 방법
Method for fabricating precipitated metal nanoparticles on perovskite stannate support with high electrical conductivity
특허 요약
본 개시는 높은 면적 밀도와 미세한 크기를 가진 Ni 금속 나노 입자가 A-사이트 결핍 페로브스카이트 주석 산화물 지지체로부터 용리된다는 것을 보여준다. 또한, 본 개시는 우수한 전기적 특성을 가진 주석 산화물에 내장된 금속 나노 입자의 형성을 유도하는 공정을 제안한다.
청구항
번호청구항
1

페로브스카이트 산화물(ABO3) 지지체의 표면에 금속 나노 입자를 형성하는 방법으로서,A-사이트가 결핍된 ABO3 지지체를 제공하는 단계;상기 ABO3 지지체를 어닐링 처리함으로써, 상기 ABO3 지지체의 B-사이트에 위치한 금속 이온 중 일부를 용리하는 단계; 및상기 금속 이온이 상기 ABO3 지지체의 표면에서 금속 나노 입자를 형성하는 단계를 포함하고,상기 ABO3 지지체는, Sn을 B-사이트에 포함하는, 금속 나노 입자 형성 방법.

2

제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자를 형성하는 단계는, 상기 금속 이온이 환원되어 상기 금속 나노 입자가 형성되는, 금속 나노 입자 형성 방법.

3

제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자가 형성되기 전과 비교할 때, 상기 금속 나노 입자가 형성된 후 상기 ABO3 지지체에 포함된 산소 공공(oxygen vacancy)은 증가하고 확장된 결함(extended defect)은 감소하는, 금속 나노 입자 형성 방법.

4

제1항에 있어서,상기 어닐링 처리의 조건은, 이원(binary) 산화물의 엘링햄 곡선(Ellingham Curve)의 T와 p(O2)의 함수에 의해 결정되는, 금속 나노 입자 형성 방법.

5

제4항에 있어서,상기 ABO3 지지체는 BSNO 또는 LBSNO 지지체에 해당하고,상기 어닐링 처리를 위한 온도 및 압력은 하기 수식 1을 만족하는, 금속 나노 입자 형성 방법.수식 1: 003c# 003c#

6

표면에 금속 나노 입자가 형성된 페로브스카이트 산화물(ABO3) 지지체로서,상기 금속 나노 입자는, 상기 ABO3 지지체의 B-사이트에 위치한 금속 이온 중 일부에 의해 형성되고,상기 ABO3 지지체는, A-사이트 결핍 페로브스카이트에 해당하고, Sn을 B-사이트에 포함하는, 지지체.

7

삭제

8

제6항에 있어서,상기 ABO3 지지체는, Ni를 B-사이트에 포함하는, 지지체.

9

제8항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Ni를 포함하는, 지지체.

10

제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 일부가 상기 ABO3 지지체의 표면 내부로 함입되어 형성된, 지지체.

11

제6항에 있어서,상기 ABO3 지지체에서 B-사이트의 금속 이온이 비편재화된 오비탈을 가지는, 지지체.

12

제6항에 있어서,상기 ABO3 지지체는 전극으로 사용되는, 지지체.

13

제6항에 있어서,상기 ABO3 지지체는, 분말(powder) 또는 필름의 형태를 가지는, 지지체.