| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 용매, 인듐을 포함하는 화합물 및 옥타데실포스폰산을 포함하는 혼합 용액을 제1 온도로 가열하는 단계;상기 혼합 용액을 제2 온도로 가열하고 포스핀 전구체를 주입하는 단계;상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액을 제3 온도로 가열하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 2 | 제1항에서,상기 인듐을 포함하는 화합물은 3가 인듐을 포함하는 화합물인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 3 | 제2항에서,상기 3가 인듐을 포함하는 화합물은 인듐 아세테이트 및 인듐 클로라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 4 | 제1항에서,상기 용매는 끓는점이 섭씨 250도 내지 350도의 범위를 갖는 탄화수소 화합물을 포함하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 5 | 제1항에서,상기 포스핀 전구체는 트리스(트라이메틸실릴) 포스핀 (P(SiCH3)3을 포함하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 6 | 제1항에서,상기 혼합 용액을 제2 온도로 가열하고 포스핀 전구체를 주입하는 단계에서,상기 혼합 용액 내의 In:옥타데실포스폰산:P의 몰비가 1:3 |
| 7 | 제1항에서,상기 혼합 용액을 상기 제1 온도로 가열하는 단계에서, 인듐-옥타데실포스폰산 착화합물이 형성되는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 8 | 제1항에서,상기 혼합 용액을 제2 온도로 가열하고 포스핀 전구체를 주입하는 단계에서,인화인듐 핵이 형성되는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 9 | 제7항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액를 제3 온도로 가열하는 단계에서,상기 인듐-옥타데실포스폰산 착화합물을 템플릿으로 하여 인화인듐 핵이 성장하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 10 | 제1항에서,상기 제1 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제2 온도는 섭씨 100도 내지 140도이고,상기 제3 온도는 섭씨 280도 내지 320도인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 11 | 제10항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액를 제3 온도로 가열하는 단계 이후에, 상기 제3 온도로 50분 내지 70분 동안 유지하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 12 | 제10항에서,상기 나노 구조물은 종횡비가 5 내지 30인 나노 막대인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 13 | 제1항에서,상기 제1 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제2 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제3 온도는 섭씨 280도 내지 320도인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 14 | 제13항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액을 제3 온도로 가열하는 단계 이후에, 상기 제3 온도로 20분 내지 40분 동안 유지하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 15 | 제13항에서,상기 나노 구조물은 종횡비가 40 내지 200인 나노 와이어인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 16 | 제1항에서,상기 제1 온도는 섭씨 280도 내지 320도이고,상기 제2 온도는 섭씨 180도 내지 220도이고,상기 제3 온도는 섭씨 180도 내지 320도인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 17 | 제16항에서,상기 포스핀 전구체가 주입된 혼합 용액를 제3 온도로 가열하는 단계 이후에, 상기 제3 온도로 10초 내지 7분 동안 유지하는 나노 구조물의 제조 방법. |
| 18 | 제16항에서,상기 나노 구조물은 종횡비가 40 내지 200인 나노 와이어가 10개 이상 뭉쳐진 나노 와이어 다발인 나노 구조물의 제조 방법. |
| 19 | 삭제 |
| 20 | 삭제 |
