| 번호 | 청구항 |
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| 14 | 기판 상에, 제1 도전재를 전사하여 제1 도전성 필름을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 필름 상에 신축성 고분자 용액을 스핀코팅(spin-coating) 하여, 상기 제1 도전성 필름 내부 및 외부에 상기 신축성 고분자 용액을 분산시키는 단계;상기 분산된 신축성 고분자 용액을 건조하여 신축성 고분자 매트릭스로 전환시키고, 상기 신축성 고분자 매트릭스 내부에 제1 도전재가 임베디드(embedded)된 복합막을 수득하는 단계;상기 복합막 상에, 제2 도전재를 전사하여 제2 도전성 필름을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전성 필름 상에, 활물질 층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 도전재 및 상기 제2 도전재는 각각 금 나노시트인 것인,전기화학소자용 전극의 제조 방법. |
| 15 | 제14항에 있어서,상기 제1 도전성 필름 상에 신축성 고분자 용액을 스핀코팅(spin-coating) 하여, 상기 제1 도전성 필름 내부 및 외부에 상기 신축성 고분자 용액을 분산시키는 단계;는,1000 내지 2000 rpm의 회전 속도로 수행되는 것인,전기화학소자용 전극의 제조 방법. |
| 16 | 제14항에 있어서,상기 분산된 신축성 고분자 용액을 건조하여 신축성 고분자 매트릭스로 전환시키고, 상기 신축성 고분자 매트릭스 내부에 제1 도전재가 임베디드(embedded)된 복합막을 수득하는 단계;는,70 내지 80 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,전기화학소자용 전극의 제조 방법. |
| 17 | 제14항에 있어서,상기 복합막 상에, 제2 도전재를 전사하여 제2 도전성 필름을 형성하는 단계;에서,상기 복합막의 일면 또는 양면 상에, 상기 제2 도전재를 2회 이상 전사하는 것인,전기화학소자용 전극의 제조 방법. |
| 18 | 제14항에 있어서,상기 제2 도전성 필름 상에, 활물질 층을 형성하는 단계;는, 스핀코팅(spin-coating), 전사(transfer), 스프레이(spray), 전기방사(electro-spinning), 수열 합성법, 폴리올 합성법, 또는 고상법을 이용하여 수행되는 것인,전기화학소자용 전극의 제조 방법. |
| 19 | 제14항에서,상기 기판 상에, 제1 도전재를 전사하여 제1 도전성 필름을 형성하는 단계;에서,상기 기판의 일면 상에, 상기 제1 도전재를 2회 이상 전사하는 것인,전기화학소자용 전극의 제조 방법. |
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