| 번호 | 청구항 |
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| 12 | 제6항에 있어서, 상기 무기물 구조체를 형성하는 단계는, 전해도금으로 무기물을 도금하여 무기물 구조체를 형성하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 8 | 제6항에 있어서, 상기 비드를 도포하는 단계는, 2층 이상의 비드층을 도포하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 9 | 제6항에 있어서, 상기 비드는 고분자 비드 또는 절연체 비드인 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 10 | 제9항에 있어서, 상기 고분자 비드는 PS 비드인 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법 |
| 11 | 제9항에 있어서, 상기 절연체 비드는 유리 비드인 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 1 | 금속 구조체;상기 금속 구조체 상에 형성되어, 내부에 상호 연결된 복수의 공극을 갖는 무기물 구조체; 및상기 무기물 구조체의 내부 공극에 위치하는 도전성 유기물 구조체를 포함하며,상기 유기물 구조체와 상기 유기물 구조체가 서로 연속적으로 연결되어 전기전도율과 제벡 계수의 변화를 동시에 고려한 파워 팩터를 증가시키고, 상기 무기물은 Bi-Te계, Sb-Te계, Pb-Se계, Ag-Te계, Ag-Se계, Bi-(Te, Se)계, (Bi-Sb)-Te계, Si-Ge계, Pb-Te계, GeTe-AgSbTe계 및 (Co, Ir, Ru)-Sb 계로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어지며,상기 유기물은 PEDOT, 폴리 아닐린, 폴리 아닐린 유도체, 폴리피롤, 폴리피롤 유도체, 폴리아센, 폴리아센 유도체 및 이들의 공중합체로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자. |
| 2 | 제1항에 있어서, 상기 복수의 공극은 2층 이상의 공극 층으로 이루어진 유기-무기 복합 열전 반도체 소자. |
| 3 | 제1항에 있어서, 상기 금속 구조체는 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 카드뮴(Cd), 백금(Pt), 금(Au) , 비스무스(Bi), 안티모니(Sb), 테릴륨(Te) 및 이들의 합금으로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어진 유기-무기 복합 열전 반도체 소자. |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제1항에 따른 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법으로, 구조체 상에 상호 연결된 복수의 비드를 도포하는 단계;상기 비드 표면에 무기물을 도금하여 무기물 구조체를 형성하는 단계;상기 무기물 구조체 내부의 상기 비드를 제거하여 상호 연결된 복수의 공극을 갖는 다공질 구조를 형성하는 단계; 및상기 다공질 구조에 유기물을 주입하여 유기물 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 7 | 제6항에 있어서, 상기 복수의 공극의 형상은 상기 비드의 형상과 대응되도록 형성되는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 13 | 제6항에 있어서, 상기 다공질 구조를 형성하는 단계는, 상기 비드를 클로로폼, 메탄올 또는 황산 중에서 선택되는 적어도 1종의 용매로 녹여 제거하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법. |
| 14 | P형의 열전 반도체 소자와 N형의 열전 반도체 소자가 금속 전극을 사이에 두고 접합하여 PN소자 쌍을 형성하는 열전 반도체 소자에 있어서, 상기 P형의 열전 반도체 소자 및 상기 N형의 열전 반도체 소자 중 적어도 어느 하나의 열전 반도체 소자는, 제1항에 따른 유기-무기 복합 열전 반도체 소자를 포함하는 유기-무기 복합 반도체 소자. |
