제11항에 있어서, 상기 양자점의 개수는 2개인 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제19항에 있어서, 상기 양자점은 각각 상기 금속층의 양쪽 단부 상에 위치하는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제11항에 있어서, 상기 양자점의 개수는 1개인 것인, 초소형 메타물질 안테나.

초소형 메타물질 안테나 제조 방법에 있어서,기판 상에 금속층을 증착하는 단계;상기 금속층 상부의 적어도 일부를 덮는 구조를 갖는 레지스트를 형성하는 단계;상기 금속층 상부에 적어도 하나의 양자점을 부착하는 단계; 및상기 레지스트를 제거하는 단계를 포함하고,상기 적어도 하나의 양자점을 부착하는 단계는,상기 금속층 상에 앵커를 부착하는 단계; 및상기 적어도 하나의 양자점을 부착하기 위한 링커를 상기 앵커에 연결하는 단계를 포함하고,상기 금속층은 메타물질을 포함하는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

삭제

제1항에 있어서, 상기 앵커를 부착하는 단계는 MUA 처리(MUA treatment)를 통해 수행되는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 링커를 상기 앵커에 연결하는 단계는 EDC(1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide)을 이용하여 수행되는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 레지스트 형성 단계는 전자빔 리소그래피를 이용하여 수행되는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 금속층은 20nm 내지 40nm의 높이를 갖는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au)을 포함하는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 양자점의 개수는 1개인 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 양자점의 개수는 2개인 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

제9항에 있어서, 상기 양자점은 각각 상기 금속층의 양쪽 단부 상에 위치하는 것인, 초소형 메타물질 안테나 제조 방법.

초소형 메타물질 안테나에 있어서,기판;기판 상에 증착된 금속층; 및상기 금속층 상부에 부착된 적어도 하나의 단일 양자점을 포함하고,상기 적어도 하나의 단일 양자점은, 상기 금속층 상에 부착된 앵커, 및 상기 앵커에 연결되어 상기 적어도 하나의 단일 양자점을 부착하기 위한 링커를 이용하여 상기 금속층 상부에 부착되는 것이고,상기 금속층은 메타물질을 포함하는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제11항에 있어서, 상기 단일 양자점은 전자빔 리소그래피를 이용하여 패터닝된 레지스트를 이용하여 형성되는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

삭제

제11항에 있어서, 상기 앵커는 MUA 처리(MUA treatment)를 통해 부착되는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제11항에 있어서, 상기 링커는 EDC(1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide)을 이용하여 상기 앵커에 연결되는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제11항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au)을 포함하는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제11항에 있어서, 상기 금속층 상부에 양자점들은 각각 하나의 앵커에 연결되어 있는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

초소형 메타물질 안테나에 있어서,기판;기판 상에 증착된 금속바; 및상기 금속바의 양쪽 단부 상에 각각 부착된 단일 양자점을 포함하고,상기 적어도 하나의 단일 양자점은, 상기 금속바 상에 부착된 앵커, 및 상기 앵커에 연결되어 상기 적어도 하나의 단일 양자점을 부착하기 위한 링커를 이용하여 상기 금속바 상부에 부착되는 것이고,상기 금속바는 메타물질을 포함하는 것인, 초소형 메타물질 안테나.

제21항에 있어서, 상기 금속바는 금(Au)을 포함하는 것인, 초소형 메타물질 안테나.