| 번호 | 청구항 |
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| 8 | 제1항에 있어서, 상기 IGZO 채널층과 상기 Ga2O3 패시베이션층의 두께는 2:1로 설정되는 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법. |
| 1 | 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법으로서, 기판을 형성하는 단계; 스퍼터링을 통해 상기 기판 상에 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 채널층을 형 성하는 단계; 상기 IGZO 채널층 주변에 소스/드레인층을 형성하는 단계; 스핀 코팅 및 리간드 교환을 통해 상기 IGZO 채널층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및 상기 양자점층 상에 Ga2O3 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 Ga2O3 패시베이션층을 형성하는 단계는,산소 분압이 0인 조건에서 Ga2O3 타겟을 상기 양자점층 상에 증착하는 단계;상기 Ga2O3 타겟을 상기 양자점층 상에 증착한 이후, 150℃내지 250℃범위의 열처리 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 이종 접 합 광트랜지스터 소자 제조 방법. |
| 2 | 제1항에 있어서, 상기 양자점층을 형성하는 단계는, 올레산 리간드로 미리 부동태화(pre-passivated)된 콜로이드 황화납 양자점의 리간드를 테트라부틸암모늄(tetrabutylammonium iodide (TBAI))로 교환하는 단계를 포함하는 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법. |
| 3 | 제2항에 있어서, 상기 양자점층을 형성하는 단계는, 상기 콜로이드 황화납 양자점을 상기 IGZO 채널층에 스핀 코팅하여 초기 양자점층을 형성하는 단계; 상기 초기 양자점층에 아세토나이트릴 용매에 용해된 테트라부틸암모늄(tetrabutylammonium iodide (TBAI))을 첨가한 후 스핀 코팅하여 과잉 TBAI 용액을 제거하는 단계; 및순수 아세토나이트릴을 이용하여 잔류 리간드를 세척하는 단계; 및용매 증발을 위해 어닐링을 수행하는 단계를 포함하는 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법. |
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| 7 | 제1항에 있어서, 상기 이종 접합 광트랜지스터 소자는 적외선 영역의 광을 검출하는 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법. |
| 9 | 이종 접합 광트랜지스터 소자로서, 기판;스퍼터링을 통해 상기 기판 상에 형성되는 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 채널층; 상기 IGZO 채널층 주변에 형성되는 소스/드레인층; 스핀 코팅 및 리간드 교환을 통해 상기 IGZO 채널층 상에 형성되는 양자점층; 및상기 양자점층 상에 형성되는 Ga2O3 패시베이션층을 포함하되,상기 Ga2O3 패시베이션층은 산소 분압이 0인 조건에서 Ga2O3 타겟을 상기 양자점층 상에 증착하고, 상기 Ga2O3 타겟을 상기 양자점층 상에 증착한 이후, 150℃내지 250℃범위의 열처리 온도에서 열처리하여 형성되는 이종 접합 광트랜지스터 소자. |
| 10 | 제9항에 있어서, 상기 양자점층은 올레산 리간드로 미리 부동태화(pre-passivated)된 콜로이드 황화납 양자점의 리간드를 테트라부틸암모늄(tetrabutylammonium iodide (TBAI))로 교환하여 형성되는 이종 접합 광트랜지스터 소자. |
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