자외선-오존 처리가 진행된 기판 상에 형성되고, 이온 침투 유도형 고분자 반도체를 포함하는 활성층;상기 활성층의 양측면에 각각 형성되는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 상에 형성되는 소스/드레인 전극 패시베이션층;상기 활성층 상에 형성되는 고분자 전해질층; 및상기 고분자 전해질층 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하고,이온 침투 유도형 고분자 반도체는,고분자 반도체; 및에틸렌 옥사이드(Ethylene Oxide, EO)를 포함하는 광 가교제;를 포함하며,상기 고분자 반도체와 상기 에틸렌 옥사이드를 포함하는 광 가교제는 화학적 가교를 통해 이온 침투 유도형 고분자 반도체 네트워크를 형성하고,상기 에틸렌 옥사이드를 포함하는 광 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 전기화학 트랜지스터.[화학식 1](상기 화학식 1에서, L1　및 L2는 서로 독립적으로, 단일 결합, -C=O-, -C 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐렌기이고,m1 및 m2는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 또는 3이고,R1　내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,상기 치환된 C1-C30알킬렌기, 치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환된 C2-C30알키닐렌기, 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 및 치환된 C1-C30알킬티오기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 Q11　내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이며,상기 n은 2 내지 300,000이고,상기 R11　내지 R15　및 R21　내지 R25는 서로 독립적으로,　가교성 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이며,R11　내지 R15　중 적어도 하나가　가교성 그룹이고,R21　내지 R25　중 적어도 하나가　가교성 그룹이다)

제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질층은 탄성 고분자 및 이온성 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전기화학 트랜지스터.

제1항에 있어서, 상기 고분자 반도체는 DPP-DTT(Poly[2,5-(2-octyldodecyl)-3,6-diketopyrrolopyrrole-alt-5,5-(2,5-di(thien-2-yl)thieno [3,2-b]thiophene)]), P3HT(Poly(3-hexylthiophene)), F8T2(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophene]), PTB7-Th(Poly([2,6′-4,8-di(5-ethylhexylthienyl)benzo[1,2-b;3,3-b]dithiophene]{3-fluoro-2[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})), PBTTT-C14(Poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene]), PCPDTBT(Poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-b′]dithiophene)-alt-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)]), PDPP-TVT(poly[2,5-bis(7-decylnonadecyl)pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4(2H, 5H)-dione-(E)-1,2-di(2,2′-bithiophen-5-yl)ethene]), 및 IDTBT(indacenodithiophene-co-benzothiadiazole), BBL(Poly(benzimidazobenzophenanthroline)), P(NDI2OD-T2)(Poly{[N,N′-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,5′-(2,2′-bithiophene)}) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전기화학 트랜지스터.

제2항에 있어서, 상기 탄성 고분자는 상기 탄성 고분자와 상기 이온성 액체 전체 100중량% 대비 40 중량% 내지 80 중량%인 것을 특징으로 하는 유기 전기화학 트랜지스터.

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제1항에 있어서, 상기 이온 침투 유도형 고분자 반도체는 스트레처블(stretchable) 이온 침투 유도형 고분자 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 전기화학 트랜지스터.

기판에 자외선-오존 처리를 진행하여 상기 기판의 표면에 친수성 기를 형성하는 단계;상기 자외선-오존 처리가 진행된 기판 상에 이온 침투 유도형 고분자 반도체 형성용 조성물을 도포하여 이온 침투 유도형 고분자 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 이온 침투 유도형 고분자 반도체 박막을 마스크를 이용하여 선택적으로 노광하는 단계; 및상기 노광된 이온 침투 유도형 고분자 반도체 박막을 현상하여 이온 침투 유도형 고분자 반도체 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 이온 침투 유도형 고분자 반도체 형성용 조성물은,고분자 반도체; 및에틸렌 옥사이드(Ethylene Oxide, EO)를 포함하는 광 가교제;를 포함하고,상기 에틸렌 옥사이드를 포함하는 광 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 이온 침투 유도형 고분자 반도체의 패터닝 방법.[화학식 1](상기 화학식 1에서, L1　및 L2는 서로 독립적으로, 단일 결합, -C=O-, -C 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐렌기이고,m1 및 m2는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 또는 3이고,R1　내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,상기 치환된 C1-C30알킬렌기, 치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환된 C2-C30알키닐렌기, 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 및 치환된 C1-C30알킬티오기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 Q11　내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이며,상기 n은 2 내지 300,000이고,상기 R11　내지 R15　및 R21　내지 R25는 서로 독립적으로,　가교성 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이며,R11　내지 R15　중 적어도 하나가　가교성 그룹이고,R21　내지 R25　중 적어도 하나가　가교성 그룹이다).

제7항에 있어서, 상기 이온 침투 유도형 고분자 반도체 박막을 마스크를 이용하여 노광하는 단계에서, 상기 고분자 반도체와 상기 에틸렌 옥사이드를 포함하는 광 가교제는 화학적 가교를 통해 이온 침투 유도형 고분자 반도체 네트워크를 형성하는 것을 특징으로 하는 이온 침투 유도형 고분자 반도체의 패터닝 방법.

제7항에 있어서, 상기 이온 침투 유도형 고분자 반도체 패턴의 너비는 1 ㎛ 내지 1000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 이온 침투 유도형 고분자 반도체의 패터닝 방법.

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