칼코젠 합금 전구체를 이용한 II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법
Method for Preparing II-VI Ternary Quantum Dot Using Chalcogen Alloy Precursor
특허 요약
본 발명은 칼코젠 합금 전구체를 이용한 II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 이성분 칼코젠 원소의 합금을 전구체로 이용함으로써 양자점에서 미세한 칼코젠 원소의 양을 용이하게 조절할 수 있으며, 합금의 조성비에 따라 합성되는 양자점의 발광 파장을 조절할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하는 경우 종래 포스핀 기반으로 제조된 양자점의 표면 결함 및 불균질한 칼코젠 원소 분포 문제를 해결할 수 있고, 이종 결합 구조 형성을 통해 특정 파장에서 발광하는 차세대 양자점을 제작할 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | (i) 이성분 칼코젠 원소의 합금, 및 아연(Zn)에 지방산 리간드가 결합된 아연 복합체를 혼합하는 단계; 및(ii) 상기 혼합물을 열처리하여, 아연 및 이성분 칼코젠 원소로 이루어진 삼성분계 II-VI족 양자점을 제조하는 단계를 포함하는, II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 이성분 칼코젠 원소가 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)이고, 상기 합금에서 셀레늄 및 텔루륨의 몰비가 80:20 내지 99:1인, II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 이성분 칼코젠 원소의 합금이,2종의 칼코젠 원소의 분말을 혼합하고 300 내지 700℃로 가열하는 단계; 및 상기 가열된 분말의 온도를 100 내지 280℃로 하강시키고 열풀림(annealing)을 수행하는 단계를 통해 제조된 것인, II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 (i) 단계가 실온에서 수행되고,상기 (ii) 단계가, 혼합물을 150 내지 240℃에서 1차 열처리한 후 250 내지 400℃로 승온하여 2차 열처리함으로써 수행되는, II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법. |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 (i) 단계가, 이성분 칼코젠 원소의 합금 분산액 및 250 내지 400℃의 아연 복합체를 혼합함으로써 수행되고,상기 (ii) 단계가, 혼합물을 250 내지 400℃에서 열처리함으로써 수행되는, II-VI족 삼성분계 양자점의 제조방법. |
