표면 개질에 의해 발광 효율이 향상된 III-V족 양자점의 제조방법 및 표면 개질된 III-V족 양자점
Method for Preparing III-V Quantum Dot with Improved Luminescence Efficiency by Surface Modification and Surface-modified III-V Quantum Dot
특허 요약
본 발명은 표면 개질에 의해 발광 효율이 향상된 III-V족 양자점에 관한 것이다. 본 발명에서는 아연 복합체 및 할로젠화 금속을 표면 개질제로 이용하여, 친환경 양자점인 III-V족 양자점 표면의 산화 영역을 제거하고 트랩을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명을 이용하면 III-V족 양자점의 발광 특성을 현저히 향상시킬 수 있으며, 특히 쉘 없이 코어 형태로도 우수한 발광 효율을 나타내는 III-V족 양자점을 제공할 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 아연에 지방산 리간드가 결합된 아연 복합체, 할로젠화 금속 용액, 및 III-V족 양자점을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및상기 혼합물을 가열하여 상기 III-V족 양자점의 표면을 개질하는 단계를 포함하는, 표면 개질된 III-V족 양자점의 제조방법으로서,상기 혼합 단계에서, 아연 복합체 및 할로젠화 금속 용액의 부피비가 2:1 내지 4:1이고,상기 표면 개질 단계에서, 가열 온도가 280 내지 350℃인, 표면 개질된 III-V족 양자점의 제조방법. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 표면 개질 단계에서, 가열 온도에 도달한 후 1 내지 120분 동안 온도를 유지하는, 표면 개질된 III-V족 양자점의 제조방법. |
| 5 | 제 1 항 또는 제 4 항의 제조방법에 의해 제조되고, 아연 및 할로젠화 금속에 의해 표면 개질된 III-V족 양자점으로서,상기 표면 개질에 의해 도입된 아연 원소의 원자량, 및 할로젠화 금속에서 유래된 금속 원소의 원자량의 비율이 2:1 내지 40:1인, 표면 개질된 III-V족 양자점. |
