기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 아연 산화물(ZnO)을 포함하는 감지 입자를 제공하여 감지층을 형성하는 단계; 및상기 감지층에 양성자 빔(proton-beam)을 조사하여, 상기 감지 입자에 산소 결함(oxygen vacancy, VO) 및 아연 결함(zinc vacancy, VZn)을 형성하는 단계를 포함하되,상기 감지 입자에 형성된 상기 산소 결함에 의해, 상기 감지층의 습도 안정성 및 가스 센싱 감도가 향상되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법.

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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 아연 산화물(ZnO)을 포함하는 감지 입자를 제공하여 감지층을 형성하는 단계; 및상기 감지층에 양성자 빔(proton-beam)을 조사하여, 상기 감지 입자에 산소 결함(oxygen vacancy, VO) 및 아연 결함(zinc vacancy, VZn)을 형성하는 단계를 포함하되,상기 감지층에 조사되는 상기 양성자 빔의 선량을 제어함에 따라, 상기 감지층의 가스 센싱 감도가 제어되는 것을 포함하고,상기 감지층에 조사되는 상기 양성자 빔의 선량을 1x1012 protons/cm2 초과 1x1014 protons/cm2 미만으로 제어함에 따라, 상기 감지층의 가스 센싱 감도가 향상되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 감지층에 상기 양성자 빔을 조사하는 과정에서 상기 감지층 주위의 산소 분위기를 제어함에 따라, 상기 감지 입자에 형성되는 상기 산소 결함 및 상기 아연 결함의 비율이 제어되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법.

제5 항에 있어서, 상기 산소 분위기에서 산소 양이 적어질수록, 상기 감지 입자에 형성된 상기 산소 결함의 비율이 상기 아연 결함의 비율보다 높게 제어되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법.

제5 항에 있어서, 상기 산소 분위기에서 산소 양이 많아질수록, 상기 감지 입자에 형성된 상기 아연 결함의 비율이 상기 산소 결함의 비율보다 높게 제어되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 감지층을 형성하는 단계는, 상기 아연 산화물과 용매를 혼합하여 베이스 소스를 제조하는 단계; 상기 기판 상에 상기 베이스 소스를 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 상기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법.

기판;상기 기판 상에 배치되고, 아연 산화물(ZnO)을 포함하는 감지 입자를 포함하는 감지층; 및상기 감지층 상에 배치되는 전극을 포함하되,상기 감지 입자는 산소 결함(oxygen vacancy, VO) 및 아연 결함(zinc vacancy, VZn)을 포함하고,상기 산소 결함 및 상기 아연 결함은 양성자 빔(proton-beam)에 의해 형성된 것을 포함하고,상기 감지 입자에 대해 XPS 분석 시, 상기 산소 결함에 대응되는 피크의 면적 비율이 36.6% 초과 43.1% 이하인 것을 포함하는 가스 센서.

제9 항에 있어서, 상기 감지 입자는, 상기 산소 결함에 의해 물 분자(H2O)의 흡착률이 감소되는 것을 포함하는 가스 센서.

제9 항에 있어서, 상기 감지 입자 내 상기 산소 결함의 비율은 상기 아연 결함의 비율 보다 높은 것을 포함하는 가스 센서.

제9 항에 있어서, 상기 감지층은, 이산화질소(NO2)를 감지하는 가스 센서.