a) 적어도 하나의 표면을 제공하는 기재의 표면 상에 조밀 패턴의 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막을 형성하는 단계;b) 상기 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 상에 적어도 하나의 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막을 적층하여 콜로이드의 다중층 시트를 형성하는 단계; 및c) 상기 콜로이드의 다중층 시트를 자극 용액에 노출 또는 접촉시킴으로써 콜로이드의 벽(wall) 구조물에 의하여 경계가 정하여지는 콜로이드 나노미로를 형성하는 단계, 이때 인접하는 벽 구조물 사이의 공간이 나노미로의 통로(passage)로 기능함;를 포함하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 단계 a)에서 형성된 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막의 높이 대비 단계 c)에서 형성된 콜로이드 나노미로의 높이의 비는 1.5 내지 5의 범위인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 벽 구조물을 형성하는 콜로이드 간의 높이 편차는 25% 이하인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 단계 b)에 따라 형성된 콜로이드의 다중층 시트 중 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 내 복수의 콜로이드들은 하측의 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 내 복수의 콜로이드들 사이의 위치에 배열된 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제4항에 있어서, 상기 단계 b)에서 형성된 콜로이드의 다중층 시트는 면심 입방 구조를 형성하도록 정렬된 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 벽 구조물의 결함 사이트(defect site)에서 통로가 방향을 전환하거나, 그리고/또는 분지하는 방식으로 콜로이드 나노미로를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 및 상기 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 각각에서 콜로이드 입자의 직경은 각각 200 내지 900 nm의 범위 내에서 정하여지고, 그리고상기 벽 구조물 내 콜로이드의 직경(d)은 100 내지 600 nm의 범위 내에서 정하여지는 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 단계 a)에서 형성된 조밀 패턴의 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 내 인접하는 콜로이드의 중심 간 거리(center-to-center distance)는 200 내지 900 nm 범위이고, 그리고 상기 단계 b)에서 형성된 적어도 하나의 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 내 인접하는 콜로이드의 중심 간 거리는 200 내지 900 nm 범위인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 나노미로의 통로의 경계를 정하는 벽 구조물의 중심 간 거리(center-to-center distance; Dm-m) 및 콜로이드 나노미로의 벽 구조물 내 인접하는 콜로이드의 중심 간 거리(center-to-center distance; Dm)는 각각 160 내지 830 nm 및 100 내지 600 nm의 범위인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 벽 구조물 내 인접하는 콜로이드의 중심 간 거리(Dm)는 상기 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 및 상기 적어도 하나의 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 단층막 각각에서 인접하는 콜로이드의 중심 간 거리 대비 90% 이하인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 규소/규소산화물 재질의 유리, 석영 커버글라스, ITO(indium tin oxide), ZnO, TiO2, 폴리디메틸실록산(poly(dimethylsiloxane); PDMS), 폴리우레탄 (polyurethane), 폴리이미드 (polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP), 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate); PMMA), 폴리스티렌(polystyrene; PS), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethylene terephtalate); PET)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 콜로이드 나노미로 상에 플라즈몬 금속을 부착 또는 증착함으로써 금속 재질의 나노미로를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제12항에 있어서, 상기 금속 재질의 나노미로의 플라즈몬 금속은 금(Au)인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 기재는 실리콘계 기판이며, 상기 콜로이드 나노미로를 주형으로 하여 에칭 처리를 수행함으로써 실리콘 재질의 나노미로를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 및 상기 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 각각은 하이드로겔 재질인 것을 특징으로 하는 나노미로의 제조방법.

적어도 하나의 표면을 제공하는 기재; 및상기 기재의 표면 상에 제1 자극응답성의 연성 콜로이드 및 적어도 하나의 제2 자극응답성의 연성 콜로이드의 조립에 의하여 형성된 콜로이드의 벽(wall) 구조물에 의하여 경계가 정하여지는 콜로이드 나노미로;를 포함하며,상기 콜로이드 나노미로 내 인접하는 벽 구조물 사이의 공간은 나노미로의 통로(passage)로 기능하고,상기 벽 구조물의 결함 사이트(defect site)에서 통로의 방향이 전환되거나, 그리고/또는 분지되며, 그리고상기 나노미로의 벽 구조물은 제1 자극응답성의 연성 콜로이드와 제2 자극응답성의 연성 콜로이드 간의 교대 배열에 의하여 형성되는 나노미로.