제1항에 있어서, 상기 투명 재질의 커버 층은 글라스 커버 층 및/또는 플라스틱 커버 층인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

조사되는 광의 입사 표면에 투명 재질의 커버 층이 형성된 광 기전 디바이스의 커버 층 상에 형성된 복수의 콜로이드 입자들의 광 결정 단층막;상기 콜로이드 입자들과 커버 층 표면에 의하여 경계가 정하여지는 공극을 충진하여 콜로이드 입자들 각각을 상기 투명 재질의 커버 층에 고정시키는 고정화 층; 및상기 복수의 콜로이드 입자들의 광 결정 단층막 상에 형성된 소수성 고분자 코팅층;을 포함하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 광 기전 디바이스는 무기반도체 기반 태양 전지, 유기물 기반 태양 전지 또는 유기-무기물 접합(heterojunction) 태양 전지인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 커버 층의 재질은 규소/규소산화물 재질의 글라스, 석영 커버글라스, ITO, ZnO, TiO2, 폴리디메틸실록산, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나(공중합체 또는 이의 혼합물 포함)인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 투명 재질의 커버 층의 두께는 0.01 내지 10 mm 범위에서 정하여지는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 광 결정 단층막을 형성하는 콜로이드 입자의 사이즈(직경)는 0.1 내지 2 ㎛ 범위 내에서 정하여지는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제6항에 있어서, 상기 광 결정 단층막은 육방 구조로 밀집된 형태로서,상기 광 결정 단층막의 투과 스펙트럼 딥(dip)/피크(peak) 위치(λd)는 하기 수학식 1에 따른 관계가 충족되는 것을 특징으로 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물:[수학식 1]λd = (3)1/2D × neff/2m상기 수학식 1에서, m은 회절 차수(order of diffraction)이고,D는 콜로이드의 직경이며, 그리고neff는 (nc2fc + na2(1-fc))1/2로서, nc 및 na는 각각 콜로이드의 굴절률 및 공기의 굴절율(na=1)이고, 그리고 fc는 육방구조의 조밀 콜로이드 결정에서 0.74로 설정됨.

제1항에 있어서, 상기 고정화 층은 폴리우레탄계, 폴리디메틸실록산계, NOA계, 에폭시계 및 아크릴계로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 재질인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 고정화 층의 재질은 폴리디메틸실록산 및 불화계 화합물이 중량 기준으로 1 : 1 내지 20의 비율로 조합된 것이고.이때, 상기 불화계 화합물은 trimethoxy(1H,1H,2H,2H-heptadecafluorodecyl)silane, 1H,1H,2H,2H-Perfluorodecyltriethoxysilane, 및 1H,1H,2H,2H-Perfluorooctylltriethoxysilane으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 소수성 고분자 코팅층은 25 mN/m 이하의 표면 에너지 및 적어도 100°의 수접촉각을 나타내는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제10항에 있어서, 상기 소수성 고분자 코팅층의 재질은 불화 고분자, 실리콘 고분자 및 올레핀계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제11항에 있어서, 상기 불화 고분자는 폴리테트라플루오로에틸렌, 개질된 테트라플루오로에틸렌, 퍼플루오로화알콕시 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴 플로오라이드의 3원중합체, 폴리비닐리덴 플루오라이드 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 소수성 고분자 코팅층의 두께는 0.01 내지 1 ㎛ 범위에서 정하여지는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

제1항에 있어서, 상기 광 결정 단층막의 재질은 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리프로필아크릴레이트, 폴리이소프로필아크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리펜틸아크릴레이트, 폴리펜틸메타크릴레이트, 폴리글리시딜메타크릴레이트, 폴리사이클로헥실아크릴레이트, 폴리(2-에틸헥실아트릴레이트), 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산폴리비닐 아세테이트, 폴리아크릴로나이트릴 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물.

a) 조사되는 광의 입사 표면에 투명 재질의 커버 층이 형성된 광 기전 디바이스를 제공하는 단계;b) 상기 커버 층 상에 복수의 콜로이드 입자들의 광 결정 단층막을 형성하는 단계;c) 상기 콜로이드 입자들과 커버 층 표면에 의하여 경계가 정하여지는 공극에 고정화 충진재를 주입하여 콜로이드 입자의 광 결정 단층막을 상기 투명 재질의 커버 층에 고정시키는 단계; 및d) 상기 광 결정 단층막 상에 소수성 고분자 코팅을 형성하는 단계;를 포함하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물을 제조하는 방법.

제15항에 있어서, 상기 단계 b)는,상기 커버 층 상에 규칙적으로 배열된 콜로이드 입자들의 어레이(array)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물을 제조하는 방법.

제16항에 있어서, 상기 단계 b)는,콜로이드 입자들의 분산물을 수계 매질의 표면 상에 부유시킨 다음, 이를 상기 커버 층과 접촉시켜 콜로이드 입자들을 커버 층에 전사하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물을 제조하는 방법.