기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 식각하여, 상기 기판 내에 복수의 기공이 형성된 베이스 구조체를 제조하는 단계; 상기 베이스 구조체에 금속 소스를 제공하여, 상기 베이스 구조체가 포함하는 상기 복수의 기공 내에, 상기 금속을 포함하는 기능성 입자가 증착된 발광 구조체를 제조하는 단계; 및 상기 발광 구조체를 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 발광 구조체의 열처리 온도에 따라, 상기 발광 구조체로부터 발광되는 빛의 파장대가 제어되는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 발광 구조체의 열처리 온도가 증가함에 따라, 상기 발광 구조체가 포함하는 상기 기능성 입자의 크기가 증가하는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

제2 항에 있어서, 상기 기능성 입자의 크기에 따라, 상기 발광 구조체로부터 발광되는 빛의 파장대가 제어되는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 발광 구조체가 400℃ 또는 600℃로 열처리되는 경우, 상기 발광 구조체는 청색 파장대의 빛을 발광하는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 발광 구조체가 400℃, 600℃, 800℃, 또는 1000℃로 열처리되는 경우, 상기 발광 구조체는 적색 파장대의 빛을 발광하는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체 상에 제공되는 상기 금속 소스는, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 제공되는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체 제조 단계는, 강산을 포함하는 식각 용액을 준비하는 단계; 상기 식각 용액 내에 상기 베이스 구조체를 침지시키는 단계; 및 침지된 상기 베이스 구조체에 전류를 인가하는 단계를 포함하는 발광 구조체의 제조 방법.

실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 다공성 베이스 구조체; 및 상기 베이스 구조체가 포함하는 복수의 기공 내에 배치되고, 금속을 포함하는 기능성 입자를 포함하되, 상기 기능성 입자는 나노미터 크기를 갖고,상기 베이스 구조체는, 상기 베이스 구조체 및 상기 기능성 입자가 접촉되는 제1 영역, 및 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역으로 구분되되, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 결정성이 서로 다른 것을 포함하는 발광 구조체.

삭제

제8 항에 있어서, 상기 제1 영역은 결정질(crystalline) 특성을 나타내고, 상기 제2 영역은 비정질(amorphous) 특성을 나타내는 것을 포함하는 발광 구조체.

제8 항에 있어서, 상기 금속은, Ag, Au, Pt, 또는 Pd 중 어느 하나를 포함하는 발광 구조체.

제8 항에 있어서, 상기 발광 구조체는, 가시광 영역대의 빛을 발광하는 것을 포함하는 발광 구조체.