| 번호 | 청구항 |
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| 10 | 제7항에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,상기 적어도 하나의 가스가 상기 산화성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하는반도체형 가스 감지 장치의 동작방법. |
| 9 | 제8항에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,상기 기판 하부에 형성된 전류 유동층에 레이저를 노출시켜, 상기 전류 유동층에 전류가 흐르도록 제어하는 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법. |
| 1 | 기판;상기 기판 상에 형성되고, 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 가스 감지층 및 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 상기 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 소스 전극(Source) 전극인 제1 전극과 드레인 전극(Drain) 전극인 제2 전극을 통해 인가하는 바이어스부를 포함하고,상기 바이어스부는,상기 바이어스 전압을 인가하여, 상기 적어도 하나의 가스의 산소 반응기가 상기 가스 감지층의 표면에 탈착 또는 부착되는 동작을 촉진시키는 반도체형 가스 감지 장치. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제1항에 있어서, 상기 바이어스부는, 상기 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함하는반도체형 가스 감지 장치. |
| 4 | 제3항에 있어서, 상기 기판 하부에 형성되고, 상기 레이저에 노출되면 전류가 흐르는 전류 유동층을 더 포함하는 반도체형 가스 감지 장치. |
| 5 | 제1항에 있어서, 상기 바이어스부는,상기 적어도 하나의 가스가 상기 산화성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하는 반도체형 가스 감지 장치. |
| 6 | 제1항에 있어서, 상기 바이어스부는,상기 적어도 하나의 가스가 상기 환원성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하는 반도체형 가스 감지 장치. |
| 7 | 기판 상에 형성된 가스 감지층을 통해 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 단계 및 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 바이어스부에서 상기 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 소스 전극(Source) 전극인 제1 전극과 드레인 전극(Drain) 전극인 제2 전극을 통해 인가하는 단계를 포함하고,상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,상기 바이어스 전압을 인가하여, 상기 적어도 하나의 가스의 산소 반응기가 상기 가스 감지층의 표면에 탈착 또는 부착되는 동작을 촉진시키는 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법. |
| 8 | 제7항에 있어서, 상기 바이어스부는,상기 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함하는 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법. |
| 11 | 제7항에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,상기 적어도 하나의 가스가 상기 환원성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하는반도체형 가스 감지 장치의 동작방법. |
