기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에, 아연 산화물을 포함하는 제1 물질막(first material layer), 및 티타늄 산화물을 포함하는 제2 물질막(second material layer)을 교대로 형성하는 공정을 복수회 수행하여, 적층 구조체(stacked structure)를 제조하는 단계를 포함하되, 상기 적층 구조체 내에 포함된 티타늄의 농도를 조절하여, 상기 적층 구조체의 파워 팩터(power factor) 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 적층 구조체는 원자층 증착법으로 형성되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법.

제2 항에 있어서, 상기 제1 물질막을 형성하는 단계는, 아연을 포함하는 제1 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계; 및산소를 포함하는 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제2 물질막을 형성하는 단계는, 티타늄을 포함하는 제3 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계; 및산소를 포함하는 제4 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 제1 물질막은 상기 제2 물질막의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법.

제1 항에 있어서,교대로 적층되는 상기 제1 물질막들 및 상기 제2 물질막들은 각각 동일한 두께를 갖는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 적층 구조체 내의 티타늄의 농도는 상기 제2 물질막의 두께에 의해 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법.

기판; 및아연 산화물을 포함하고 상기 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 물질막들 및 티타늄 산화물을 포함하고 상기 제1 물질막들 사이에 배치된 제2 물질막들을 포함하는 적층 구조체; 및 상기 적층 구조체 내에 포함된 티타늄의 농도를 조절하여, 상기 적층 구조체의 파워 팩터(power factor) 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자.

제 7항에 있어서, 상기 제1 물질막들은 ZnO로 형성되고, 상기 제2 물질막들은 TiO2로 형성되는 것을 포함하는 열전 소자.

제8 항에 있어서,상기 제1 물질막들의 두께의 합은, 상기 제2 물질막들의 두께의 합보다 큰 것을 포함하는 열전 소자.

제8 항에 있어서,상기 적층 구조체의 제조 시, 상기 제1 물질막의 증착 횟수 대비 상기 제2 물질막의 증착 횟수의 비율(Cycle ratio)이 0.02인 경우, 상기 적층 구조체의 파워 팩터(power factor) 값이 최대 값을 갖는 것을 포함하는 열전 소자.