| 번호 | 청구항 |
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| 21 | 제17항에 있어서,상기 제1 단계 및 제2 단계 사이에, 상기 형성된 블록 공중합체 광결정 필름의 일면에 마크층을 형성하여 복수의 서로 다른 영역을 구획하는 단계를 더 포함하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 19 | 제17항에 있어서,상기 블록 공중합체 광결정 필름에서 상기 제1 및 제2 반복단위는 PS 반복단위 및 P2VP 반복단위를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이의 제조방법. |
| 20 | 제19항에 있어서,상기 제1 단계는, 제1 및 제2 반복단위를 포함하는 폴리(스티렌-블록-2-비닐피리딘)(PS-b-P2VP) 공중합체를 포함하는 용액을 기재 상에 코팅하는 제1-1 단계; 및 용매를 어닐링한 후 유기화합물을 이용하여 P2VP 반복단위를 포함하는 제1층을 4차화하는 제1-2단계;를 포함하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 1 | 제1 반복단위가 위치하는 제1층 및 상기 제1 반복단위와 결합된 제2 반복단위가 위치하는 제2층이 교대로 적층된 라멜라 구조를 갖고, 구조색(Structural Color)을 나타내는 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름; 및상기 제1층 및 제2층 중 어느 하나에 분산된 형광 발광을 나타내는 나노결정;을 포함하고,상기 구조색과 상기 형광 발광은 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 블록 공중합체 광결정 필름은 폴리(스티렌-블록-2-비닐피리딘)(PS-b-P2VP) 공중합체를 포함하고, 상기 제1 및 제2 반복단위는 PS 반복단위 및 P2VP 반복단위를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 3 | 제2항에 있어서,상기 P2VP 반복단위는 서로 가교된 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 4 | 제2항에 있어서,상기 P2VP 반복단위에 배위 결합된 상기 나노결정의 제1 전구체 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 5 | 제4항에 있어서,상기 나노결정은 상기 제1 전구체 화합물과 제2 전구체 화합물이 반응하여 생성되고, 상기 제1 및 제2 층 중 상기 P2VP 반복단위가 위치하는 층에 분산된 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 6 | 제5항에 있어서,상기 제1 전구체 화합물은 PbX2를 포함하고,상기 제2 전구체는 CsX 및 MAX 중 어느 하나 이상을 포함하고,여기서, X = I, Br, Cl인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 나노결정은 페로브스카이트 나노결정인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 8 | 제7항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정은 3D CsPbX3 또는 3D MAPbX3을 포함하며, 여기서 MA = 메틸 암모늄, X = I, Br, Cl인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 9 | 제7항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정은 2D PEA2MAn-1PbnBr3n+1을 포함하며, 여기서 MA = 메틸 암모늄, PEA = 페닐에틸 암모늄, n = 1, 2, 또는 3인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이. |
| 10 | 제1 반복단위가 위치하는 제1층 및 상기 제1 반복단위와 결합된 제2 반복단위가 위치하는 제2층이 교대로 적층된 라멜라 구조를 갖는 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름; 상기 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름의 복수의 서로 다른 영역에서 상기 제1 및 제2 반복단위 중 하나에 결합된 제1 전구체 화합물; 및상기 복수의 서로 다른 영역 중 일부에 분산되고, 상기 제1층 및 제2층 중 어느 하나에 위치하는 형광 발광을 나타내는 나노결정;을 포함하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 11 | 제10항에 있어서,상기 복수의 서로 다른 영역 중 제1 영역에 도핑된 상기 제1 전구체 화합물의 농도와 제2 영역에 도핑된 제1 전구체 화합물의 농도가 서로 달라서, 상기 제1 영역으로부터 발생되는 구조색과 상기 제2 영역으로부터 발생되는 구조색이 다른 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 12 | 제11항에 있어서,상기 제1 영역의 제1 전구체 화합물의 농도는 0 초과 3wt%이고,상기 제2 영역의 제1 전구체 화합물의 농도는 0wt% 내지 0.1wt%인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 13 | 제10항에 있어서,상기 제1 전구체 화합물은 PbX2를 포함하고,여기서, X = I, Br, Cl인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 14 | 제10항에 있어서,상기 나노결정은 페로브스카이트 나노결정인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 15 | 제14항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정은 3D CsPbX3 또는 3D MAPbX3을 포함하며, 여기서 MA = 메틸 암모늄, X = I, Br, Cl인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 16 | 제14항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정은 2D PEA2MAn-1PbnBr3n+1을 포함하며, 여기서 MA = 메틸 암모늄, PEA = 페닐에틸 암모늄, n = 1, 2, 또는 3인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이. |
| 17 | 기재 상에 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름을 형성하는 제1 단계;상기 형성된 블록 공중합체 광결정 필름에 제1 전구체 화합물을 도핑하는 제2 단계; 및상기 제1 전구체 화합물이 도핑된 영역에 상기 제1 전구체 화합물과 반응하는 제2 전구체 화합물을 도입하여, 상기 블록 공중합체 광결정 필름 내에 나노결정을 형성하는 제3 단계;를 포함하고,상기 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름은 제1 반복단위가 배치되는 제1층 및 상기 제1 반복단위와 결합된 제2 반복단위가 배치된 제2층이 교대로 적층된 라멜라 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 디스플레이의 제조방법. |
| 18 | 제17항에 있어서,상기 제1 전구체는 PbX2을 포함하고,상기 제2 전구체는 CsX 및 MAX 중 어느 하나 이상을 포함하고,여기서, X = I, Br, Cl인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 22 | 제21항에 있어서,상기 마스크층은 폴리(디메틸실록산), 에코플렉스(Ecoflex) 및 실온가황 실리콘 고무(RTV)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 23 | 기재 상에 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름을 형성하는 제1 단계;상기 형성된 블록 공중합체 광결정 필름 중 적어도 일부 영역에 제1 전구체 화합물을 도핑하는 제2 단계; 및상기 제1 전구체 화합물이 도핑된 영역 중 적어도 일부에 상기 제1 전구체 화합물과 반응하는 제2 전구체 화합물을 도입하여, 상기 블록 공중합체 광결정 필름 내에 나노결정을 형성하는 제3 단계;를 포함하고, 상기 블록 공중합체(BCP) 광결정(PC) 필름은 제1 반복단위가 배치되는 제1층 및 상기 제1 반복단위와 결합된 제2 반복단위가 배치된 제2층이 교대로 적층된 라멜라 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 24 | 제23항에 있어서,상기 제1 전구체는 PbX2을 포함하고,상기 제2 전구체는 CsX 및 MAX 중 어느 하나 이상을 포함하고,여기서, X = I, Br, Cl인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 25 | 제23항에 있어서,상기 제1 및 제2 전구체 화합물이 도핑된 영역은 제1 영역이고, 상기 제1 전구체 화합물만 도핑된 영역은 제2 영역이고,상기 제1 영역에 도핑하는 제1 전구체 화합물의 농도와 상기 제2 영역에 도핑하는 제1 전구체 화합물의 농도가 서로 달라서, 상기 제1 영역으로부터 발생되는 구조색과 상기 제2 영역으로부터 발생되는 구조색이 다른 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 26 | 제25항에 있어서,상기 제1 영역에 도핑하는 제1 전구체 화합물의 농도는 0 초과 3wt%이고,상기 제2 영역에 도핑하는 제1 전구체 화합물의 농도는 0wt% 내지 0.1wt%인 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 27 | 제23항에 있어서,상기 제1 단계 및 제2 단계 사이에, 상기 형성된 블록 공중합체 광결정 필름의 일면에 마크층을 형성하여 복수의 서로 다른 영역을 구획하는 단계를 더 포함하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 28 | 제27항에 있어서,상기 마스크층은 폴리(디메틸실록산), 에코플렉스(Ecoflex) 및 실온가황 실리콘 고무(RTV)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 29 | 제23항에 있어서,상기 블록 공중합체 광결정 필름은 폴리(스티렌-블록-2-비닐피리딘)(PS-b-P2VP) 공중합체를 포함하고, 상기 제1 및 제2 반복단위는 PS 반복단위 및 P2VP 반복단위를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는, 이중 반응형 광암호화 디스플레이의 제조방법. |
| 30 | 적어도 일부 영역에 제1 전구체 화합물이 도핑된 블록 공중합체 광결정 필름에 상기 제1 전구체 화합물이 도핑된 영역 중 적어도 일부에 상기 제1 전구체 화합물과 반응하는 제2 전구체 화합물 도입하여, 상기 블록 공중합체 광결정 필름 내에 암호를 입력하는 제1 단계; 및상기 암호가 입력된 블록 공중합체 광결정 필름에 가시광선 및 자외선을 순차로 조사하여 암호를 판독하는 제2 단계;를 포함하는, 암호화 방법. |
| 31 | 제30항에 있어서,상기 제2 단계 이후에, 수산화암모늄을 이용하여 암호화를 제거하는 제3단계를 더 포함하는, 암호화 방법. |
| 32 | 제31항에 있어서,상기 제3 단계 이후에, 암호화가 제거된 블록 공중합체 광결정 필름의 적어도 일부 영역에 제1 전구체 화합물이 도핑된 블록 공중합체 광결정 필름에 상기 제1 전구체 화합물이 도핑된 영역 중 적어도 일부에 상기 제1 전구체 화합물과 반응하는 제2 전구체 화합물 도입하여, 상기 블록 공중합체 광결정 필름 내에 암호를 재입력하는 제4단계를 더 포함하는, 암호화 방법. |