| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 페로브스카이트를 포함하는 발광 다이오드; 및발광 다이오드를 구동하기 위한 이황화 몰리브덴을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하고,상기 페로브스카이트 위에 파릴렌-C(parylene-C)를 포함하는 캡슐화층을 더 포함하는,발광 다이오드 디스플레이. |
| 2 | 제1항에 있어서,박막 트랜지스터에 포함되는 이황화 몰리브덴은 이중층 이황화 몰리브덴 필름인 것인,발광 다이오드 디스플레이. |
| 3 | 제1항에 있어서,페로브스카이트는 세슘 납 브롬화물(CsPbBr3)인 것인,발광 다이오드 디스플레이. |
| 4 | 제1항에 있어서,발광 다이오드는 페로브스카이트의 열 증착(thermal evaporation)에 의해 형성되는 것인,발광 다이오드 디스플레이. |
| 5 | 제4항에 있어서,발광 다이오드는 페로브스카이트의 단일-소스 증착(single-source deposition)에 의해 형성되는 것인,발광 다이오드 디스플레이. |
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| 7 | 페로브스카이트를 준비하는 단계(S100);이황화 몰리브덴을 준비하는 단계(S200);이황화 몰리브덴을 이용하여 박막 트랜지스터 백플레인을 형성하는 단계(S300); 및박막 트랜지스터 백플레인에 페로브스카이트를 집적하는 단계(S400)를 포함하고,박막 트랜지스터 백플레인에 페로브스카이트를 집적하는 단계(S400)는,상기 페로브스카이트 위에 파릴렌-C를 페시베이션 층으로 증착하는 것을 포함하는 것인,발광 다이오드 디스플레이의 제조방법. |
| 8 | 제7항에 있어서,이황화 몰리브덴을 준비하는 단계(S200)는,이중층 이황화 몰리브덴을 준비하는 것을 포함하는 것인,발광 다이오드 디스플레이의 제조방법. |
| 9 | 제7항에 있어서,페로브스카이트를 준비하는 단계(S100)는,세슘 납 브롬화물(CsPbBr3)을 준비하는 것을 포함하는 것인,발광 다이오드 디스플레이의 제조방법. |
| 10 | 제7항에 있어서,박막 트랜지스터 백플레인에 페로브스카이트를 집적하는 단계(S400)는,페로브스카이트를 열 증착에 의해 백플레인에 증착하는 것을 포함하는 것인,발광 다이오드 디스플레이의 제조방법. |
| 11 | 제10항에 있어서,박막 트랜지스터 백플레인에 페로브스카이트를 집적하는 단계(S400)는,페로브스카이트를 단일-소스 증착에 의해 백플레인에 증착하는 것을 포함하는 것인,발광 다이오드 디스플레이의 제조방법. |
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