제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 각각 1kHz 이상의 주파수를 갖는 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제4항에 있어서,상기 제어부는, 상기 압력 센서로부터 감지되는 압력에 따라 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2촉각 액추에이터에 가해지는 전류의 전류 밀도를 0 내지 30% 조절하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제1항에 있어서,상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터는 인듐 주석 산화물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제 1 기판;상기 제 1기판 상에 위치하고, 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터를 포함하는 촉각 자극 생성부; 및상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에서 발생하는 전기장들이 중첩되어 간섭파를 생성하도록 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 서로 다른 주파수를 갖는 전류를 인가하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 인가되는 전류의 전류 밀도, 주파수 및 펄스 폭 중 어느 하나 이상을 조절하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제1항에 있어서,상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터 간의 거리는, 1.5mm 내지 4mm인 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제2항에 있어서,상기 제 1 기판 하부에 위치하는 압력 센서;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제1항에 있어서,상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터의 표면 일부 또는 전부가 백금 나노 클러스터로 코팅되는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제2항에 있어서,상기 제어부는, 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 인가되는 전류의 주파수를 조절하며,이때 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 인가되는 전류의 주파수 차이는 1 Hz 이상 200 Hz 이하 인 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제2항에 있어서,상기 제어부는, 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 인가되는 전류 밀도를 조절하며,상기 전류 밀도는, 0 A mm-2 이상 0.1 A mm-2 이하 인 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제2항에 있어서,상기 제어부는, 상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터에 인가되는 전류의 펄스 폭을 조절하며,상기 펄스 폭은, 10 ms 이상 500 ms 이하 인 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제1항에 있어서,상기 제 1 촉각 액추에이터 및 제 2 촉각 액추에이터의 두께는 50nm 내지 150nm인 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제 1항에 있어서,상기 촉각 자극 생성부 상부에 위치하는 커버층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.

제4항에 있어서,상기 압력 센서는,제 2 기판;상기 제 2 기판 상에 이격하여 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 기판 상에 배치되고 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 채널 영역;상기 소스 전극, 드레인 전극 및 채널 영역 상에 위치하는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 위치하는 게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉각 제공 장치.