기판;상기 기판 상에 형성된 센싱부; 및상기 센싱부에 접촉하고, 서로 이격되어 형성된 제1 전극; 및 제2 전극;을 포함하고,상기 센싱부는, 금속 산화물; 및 상기 금속 산화물 상에 형성된 루테늄 산화물 나노시트를 포함하는,가스 센서.

제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 주석 산화물을 포함하는,가스 센서.

제1항에 있어서,상기 가스 센서는 적어도 에탄올을 센싱하는,가스 센서.

제1항에 있어서,상기 가스 센서는 적어도 상기 센싱부를 가열하는 가열부를 더 포함하는,가스 센서.

제4항에 있어서,상기 기판은, 할로우가 형성된 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판과 적어도 수직방향으로 이격되고, 상기 할로우 상에서 상기 베이스 기판에 걸쳐 형성된 현수형 기판;을 포함하고,상기 가열부 및 상기 센싱부는 상기 현수형 기판에 형성된,가스 센서.

기판 상에 복수의 전극을 형성하는 제1 단계;상기 복수의 전극 중 2개 이상의 전극에 접촉하도록 금속 산화물을 형성하는 제2 단계; 및상기 금속 산화물 상에 루테늄 산화물 나노시트를 형성하는 제3 단계;를 포함하는,가스 센서 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 금속 산화물은 주석 산화물을 포함하는,가스 센서 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 금속 산화물의 형성은 물리 기상 증착(PVD)을 통해 형성하는,가스 센서 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 루테늄 산화물 나노시트는 분산액 도포 후 건조를 통해 형성하는,가스 센서 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 가스 센서 제조 방법에 의해 제조된 가스 센서는 적어도 에탄올을 센싱하는,가스 센서 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 가스 센서 제조 방법은 상기 금속 산화물 또는 상기 루테늄 산화물 나노시트를 가열하는 가열부를 형성하는 단계를 더 포함하는,가스 센서 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 가스 센서 제조 방법은,상기 기판 중 상기 전극, 상기 금속 산화물 및 상기 루테늄 산화물 나노시츠가 형성될 부분 주위의 일부를 개방하는 보호층을 형성하고, 상기 기판을 식각하되 상기 보호층은 식각하지 않는 물질에 노출하는 단계를 더 포함하는,가스 센서 제조 방법.

제12항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화물을 포함하는,가스 센서 제조 방법.

제1항 내지 제5항 중 어느 항에 따른 가스 센서를 포함하고,음주 측정, 공기 질 모니터링, 의료용 호흡 측정, 화재 위험 등 안전 모니터링, 식품 품질 관리 또는 환경 감시에 사용되는,에탄올 센싱 장치.

제6항 내지 제13항 중 어느 항에 따른 가스 센서 제조 방법에 의해 제조된 가스 센서를 포함하고,음주 측정, 공기 질 모니터링, 의료용 호흡 측정, 화재 위험 등 안전 모니터링, 식품 품질 관리 또는 환경 감시에 사용되는,에탄올 센싱 장치.