ZIF-8(Zeolitic Imidazolate Framework-8)을 포함하는 박막을 형성하는 제1 단계;상기 박막에 산화 아연을 포함하는 표면 산화층을 형성하고, 상기 ZIF-8의 유기리간드를 분해하는 제2 단계; 및상기 유기리간드를 부식시키는 제3 단계;를 포함하고,상기 제2 단계는 공기 중 열처리를 통해 수행하고,상기 공기 중 열처리는 250 내지 350 ℃에서 수행하고,상기 제3 단계는 상기 박막을 NO2 가스에 노출하여 수행하는,NO2 선택성 가스 센서 물질 제조 방법.

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제1항에 있어서,상기 제1 단계에서 상기 박막은 수열 반응을 통해 생성하는,NO2 선택성 가스 센서 물질 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 유기리간드는 2-메틸이미다졸인,NO2 선택성 가스 센서 물질 제조 방법.

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제1항에 있어서,상기 제2 단계를 통해 상기 박막에 포함된 ZIF-8 입자 표면의 2 내지 4 nm 두께에 산화층을 형성하는,NO2 선택성 가스 센서 물질 제조 방법.

제1항에 따른 제조 방법에 의해 제조되고,탄소가 도핑된 산화물로 코팅된 ZIF-8 입자를 포함하는,NO2 선택성 가스 센서 박막.

제8항에 있어서,상기 탄소가 도핑된 산화물은 상기 ZIF-8 입자의 표면에서 2 내지 4 nm 두께로 코팅된,NO2 선택성 가스 센서 박막.

제8항에 따른 가스 센서 박막;상기 박막에 접촉하여 형성된 제1 전극; 및상기 박막에 접촉하고, 상기 제1 전극과 이격되어 형성된 제2 전극;을 포함하는,NO2 선택성 가스 센서.

제10항에 있어서,상기 가스 센서는 0.3 내지 0.5 ppb의 NO2 검출 한계를 가지는,NO2 선택성 가스 센서.

제10항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 인터디지테이티드(interdigitated) 된,NO2 선택성 가스 센서.