제13항에 있어서, 상기 구리 이온의 첨가에 따른 형광 세기 감소를 측정함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 이온을 선택적으로 검출하는 방법.

제13항에 있어서, 상기 형광 세기 변화를 위해 조사하는 빛의 파장은 280 nm인 것을 특징으로 하는 구리 이온을 선택적으로 검출하는 방법.

실리카 코어 표면에 배위고분자 쉘을 포함하는 구리 이온 검출용 센서로서,상기 쉘은 테르븀(Tb) 금속 이온과 유기 빌딩블록이 배위 결합된 배위고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서.

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제1항에 있어서, 상기 쉘은 테르븀(Tb) 금속 이온과 이소프탈산(H2IPA)이 배위 결합된 배위고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서.

제1항에 있어서, 상기 실리카 코어와 배위고분자 쉘은 1-8 : 2-9의 중량비로 사용되는 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서.

제1항에 있어서, 상기 쉘의 두께는 35 내지 140 nm인 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서.

제1항에 있어서, 상기 구리 이온 검출용 센서는 구리 이온에 대한 소광효과계수(Ksv)가 15,000 내지 40,000 M-1인 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서.

제1항에 있어서, 상기 구리 이온 검출용 센서는 아세토나이트릴로 세척하여 다시 재사용되는 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서.

제1항에 있어서, 상기 구리 이온 검출용 센서는 0.01 내지 0.1 mg으로 구리 이온을 검출하는 구리 이온 검출용 센서.

(A) 카르복실산으로 표면처리된 실리카 입자와, 테르븀(Tb) 금속 이온 및 유기 빌딩블록을 포함하는 배위고분자 전구체를 유기용매에 혼합하여 반응물을 제조하는 단계;(B) 상기 반응물을 130 내지 150 ℃의 온도로 가열하는 단계; 및(C) 상기 가열된 반응물을 원심분리하여 코어-쉘 마이크로스피어를 수득하는 단계;를 포함하되,상기 실리카 입자를 코어로 하고, 상기 배위 고분자를 쉘로 하는 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서의 제조방법.

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제9항에 있어서, 상기 (a)단계에서 배위고분자 전구체는 테르븀(Tb) 금속 이온과 이소프탈산(H2IPA)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서의 제조방법.

제9항에 있어서, 상기 (a)단계에서 유기용매는 N,N-디메틸포름아미드(DMF)와 테트라하이드로퓨란(THF)의 혼합 용매인 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 센서의 제조방법.

제1항의 구리 이온 검출용 센서를 이용하여 시료 중에서 구리 이온을 선택적으로 검출하는 방법.