제1 항에 있어서,상기 양극 광 전지의 상부면과 상기 양극 촉매 구조체의 하부면 사이에 상기 용융 접합 금속을 제공하고 접합하여 상기 광 양극 구조체를 제조하는 단계는,상기 양극 광 전지의 상부면과 상기 양극 촉매 구조체의 하부면 사이에 상기 용융 접합 금속을 제공하여 접합한 이후, 상기 양극 광 전지의 하부에 배치된 투명 전극을 전선으로 연결하는 단계; 및상기 양극 광 전지의 측면, 및 상기 양극 촉매 구조체의 측면과 상부면의 일부를 에폭시로 실링하여, 상기 양극 촉매 구조체의 상기 상부면의 나머지 일부를 노출시키는 단계를 더 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

양극 광 전지를 제조하는 단계;양극 촉매 구조체를 제조하는 단계; 및상기 양극 광 전지의 상부면과 상기 양극 촉매 구조체의 하부면 사이에 용융 접합 금속을 제공하고 접합하여, 광 양극 구조체를 제조하는 단계를 포함하되,상기 양극 광 전지를 제조하는 단계는,투명 전극, 제1 전자 수송층 전구체, 제2 전자 수송층 전구체, OHP(Organometal halide perovskites)층 전구체, 제1 정공 수송층 전구체, 제2 정공 수송층 전구체, 및 금속 전극 전구체를 준비하는 단계;상기 투명 전극 상에 상기 제1 전자 수송층 전구체를 스핀 코팅하여, 제1 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 제1 전자 수송층 상에 상기 제2 전자 수송층 전구체를 스핀 코팅하여, 제2 전자 수송층을 형성하여 전자 수송층을 제조하는 단계;상기 전자 수송층을 표면 처리하는 단계;표면 처리된 상기 전자 수송층 상에 상기 OHP층 전구체를 스핀 코팅하여, OHP층을 형성하는 단계;상기 OHP층 상에 상기 제1 정공 수송층 전구체를 스핀 코팅하여, 제1 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 제1 정공 수송층 상에 상기 제2 정공 수송층 전구체를 스핀 코팅하여, 제2 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 제2 정공 수송층 상에 상기 금속 전극 전구체를 열 증발 방법으로 증착하여, 금속 전극을 제조하는 단계를 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

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제1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 FTO(Fluorine Tin Oxide)를 포함하고,상기 제1 전자 수송층 전구체는 SnCl2(acac)2(tin bis(acetylacetonate)dichloride)를 포함하고, 상기 제2 전자 수송층 전구체는 SnO2 나노 입자를 포함하고,상기 OHP층 전구체는 FAI(formamidinium iodide), PbI2(lead iodide), MABr(methylammonium bromide), PbBr2(lead bromide), 및 MACl(methylamine hydrochloride)를 포함하고,상기 제1 정공 수송층 전구체는 poly-TPD(Poly[bis(4-butypheny)-bis(phenyl)benzidine])를 포함하고, 상기 제2 정공 수송층 전구체는 Spiro-OMeTAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-di-4-methoxyphenylamine)-9,9'-spirobifluorene)을 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 전자 수송층을 표면 처리하는 단계는, 표면 처리 용액을 준비하는 단계; 및상기 전자 수송층의 상기 제2 전자 수송층 상에 상기 표면 처리 용액을 스핀 코팅하고 열처리하는 단계를 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

제4 항에 있어서,상기 표면 처리 용액은 GTMACl(Glycidyltrimethylammonium chloride)를 포함하고,상기 GTMACl은, 암모늄 작용기, 염화 작용기, 및 에폭시 작용기를 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

양극 광 전지를 제조하는 단계;양극 촉매 구조체를 제조하는 단계; 및상기 양극 광 전지의 상부면과 상기 양극 촉매 구조체의 하부면 사이에 용융 접합 금속을 제공하고 접합하여, 광 양극 구조체를 제조하는 단계를 포함하되,상기 양극 촉매 구조체를 제조하는 단계는,기판, 제1 양극 촉매층 전구체, 및 제2 양극 촉매층 전구체를 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 제1 양극 촉매층 전구체를 제공하고 수열합성 방법으로, 예비 양극 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 예비 양극 촉매층 상에 상기 제2 양극 촉매층 전구체를 제공하고, 수열합성 방법으로 상기 예비 양극 촉매층을 화학적으로 전환시켜, 양극 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

제6 항에 있어서,상기 기판은 Ni 호일을 포함하고,상기 제1 양극 촉매층 전구체는 Ni(NO3)2・6H2O, Fe(NO3)3・9H2O, CO(NH2)2, 및 NH4F를 포함하고,상기 제2 양극 촉매층 전구체는 Na2S・xH2O를 포함하는 광 양극 구조체의 제조 방법.

양극 광 전지; 및상기 양극 광 전지 상에 배치된 양극 촉매 구조체를 포함하되,상기 양극 광 전지, 및 상기 양극 촉매 구조체 사이에 배치되어 상기 양극 광 전지 및 상기 양극 촉매 구조체를 접합시키고 전기적으로 연결하는 용융 접합 금속층을 포함하고, 상기 양극 광 전지는,투명 전극;상기 투명 전극 상의 전자 수송층;상기 전자 수송층 상의 OHP층;상기 OHP층 상의 제1 정공 수송층;상기 제1 정공 수송층 상의 제2 정공 수송층; 및상기 제2 정공 수송층 상의 금속 전극을 포함하되,상기 전자 수송층은 GTMACI(Glycidyltrimethylammonium chloride) 처리된 것을 포함하는 광 양극 구조체.

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제9 항에 있어서,상기 전자 수송층은 상기 투명 전극을 균일한 두께로 덮는 레이어(layer) 타입의 제1 전자 수송층, 및 상기 제1 전자 수송층 상에 배치되고 입자 타입의 제2 전자 수송층을 포함하는 광 양극 구조체.

제11 항에 있어서,상기 제1 전자 수송층 및 상기 제2 전자 수송층의 화학적 조성은, 동일한 것을 포함하고,상기 제1 전자 수송층 및 상기 제2 전자 수송층은, SnO2를 포함하는 광 양극 구조체.

제9 항에 있어서,상기 투명 전극은 FTO를 포함하고,상기 OHP층은 FAPbI-3를 포함하고,상기 제1 정공 수송층은 poly-TPD(Poly[bis(4-butypheny)-bis(phenyl)benzidine])를 포함하고, 상기 제2 정공 수송층 전구체는 Spiro-OMeTAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-di-4-methoxyphenylamine)-9,9'-spirobifluorene)을 포함하고,상기 금속 전극은 Au를 포함하는 광 양극 구조체.

제9 항에 있어서,상기 양극 촉매 구조체는,기판; 및상기 기판 상에 배치된 양극 촉매층을 포함하는 광 양극 구조체.

제14 항에 있어서,상기 기판은 Ni 호일을 포함하고,상기 양극 촉매층은 Fe가 도핑된 Ni3S2를 포함하는 광 양극 구조체.