| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 산화비스무트에 어븀(Er), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W) 및 지르코늄(Zr)이 도핑되어 하기 화학식1로 표현되는 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재:화학식11-x(ZrO2)x(이때, 0003c#x003c#1이고, 0003c#a,b,c,d003c#1이며, 0003c#e003c#2이다.) |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 화학식1에서, 0003c#a003c#0.2이고, 0003c#b003c#0.01이고, 0003c#c003c#0.1이고, 0003c#d003c#0.1인 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 화학식1은 (Er0.15Ta0.005W0.04Bi0.80O1.5)1-x(ZrO2)x인 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 화학식1에서, 0.01≤x≤0.08인 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 전해질 소재는 입방 플로우라이트(Cubic-Fluorite) 구조인 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재. |
| 6 | 제5항에 있어서,상기 전해질 소재는 이차상(Secondary phase)의 형성이 없는 입방 플로우 라이트 구조인 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 전해질 소재는 500℃에서 이온전도도가 0.018 S/cm 내지 0.021 S/cm인 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재. |
| 8 | 산화 비스무트 전구체, 어븀 전구체, 탄탈럼 전구체, 텅스텐 전구체 및 지르코늄 전구체를 혼합하는 혼합물 생성 단계;상기 혼합물에 알코올을 첨가하고 하소하여 산화비스무트에 어븀, 탄탈럼, 텅스텐 및 지르코늄이 도핑되어 하기 화학식1로 표현되는 화합물을 형성하는 수득 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재 제조방법:화학식11-x(ZrO2)x(이때, 0003c#x003c#1이고, 0003c#a,b,c,d003c#1이며, 0003c#e003c#2이다.) |
| 9 | 제8항에 있어서,상기 혼합물 생성 단계는 볼밀링 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재 제조방법. |
| 10 | 제8항에 있어서,상기 수득 단계의 하소는, 650℃ 이상 850℃ 이하의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재 제조방법. |
| 11 | 제8항에 있어서,상기 수득 단계의 하소는, 650℃ 이상 850℃ 이하의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재 제조방법. |
| 12 | 제8항에 있어서,상기 산화 비스무트 전구체의 화학식은 Bi2O3, 상기 어븀 전구체의 화학식은 Er2O3, 상기 탄탈럼 전구체의 화학식은 Ta-2O5, 상기 지르코늄 전구체의 화학식은 ZrO2로 표현되는 것을 특징으로 하는 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재 제조방법. |
| 13 | 제1항 내지 제7항 중에서 선택된 어느 하나의 사중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지. |
